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屏蔽效能分析
屏蔽效能表现了屏蔽体对电磁波的衰减程度。由于屏蔽体通常能将电磁波的强度衰减到原来的百分之一至万分之一, 因此通常用分贝(dB)来表述。一般的屏蔽体的屏蔽效能可达40 dB, 军用设备的屏蔽体的屏蔽效能可达60 dB, TEMPEST设备的屏蔽体的屏蔽效能可达80 dB以上。
2019-08-06
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MOS管简介以及判定电极、放大能力的方法
MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管,英文缩写为MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor),属于绝缘栅型。
2019-08-05
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CMOS电路的ESD保护结构设计
静电放电(ESD - ElectroStatic Discharge)会给电子器件带来破坏性的后果,是造成集成电路失效的主要原因之一。随着集成电路工艺不断发展,CMOS电路的尺寸不断缩小,管子的栅氧厚度越来越薄,芯片的面积规模越来越大,MOS管能承受的电流和电压也越来越小,而外围的使用环境并未改变,因此要进一步优化电路的抗ESD性能。
2019-08-05
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简要分析晶体振荡器的作用以及选择要求
关于晶体振荡器,其英文名称为quartz crystal oscillator,也就是我们经常说的晶振,当然咯,也有将其称为有源晶振的。它能够产生中央处理器(CPU)执行指令所必须的时钟频率信号,CPU一切指令的执行都是建立在这个基础上的,时钟信号频率越高,通常CPU的运行速度也就越快。
2019-07-19
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CMOS触发器的结构与工作原理
触发器,学名双稳态多谐振荡器(Bistable Multivibrator),是一种应用在数字电路上具有记忆功能的循序逻辑组件,可记录二进位制数字信号“1”和“0”。触发器是构成时序逻辑电路以及各种复杂数字系统的基本逻辑单元。
2019-07-18
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四管同步升降压变换器工作原理及设计相关问题
四管同步BuckBoost升降压变换器为单电感结构,不需要耦合电容,尽管系统需要四个开关管,控制相比较复杂,但由于采用同步的变换器,系统的效率比SEPIC高,而且体积比SEPIC小,非常适用于汽车及通讯这类系统的效率和体积要求严格的应用。下面本文将讨论这种四管同步BuckBoost升降压变换器的具体的工作原理及设计过程的相关问题。
2019-07-12
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晶体管以类似水龙头控制水流的方式控制电流
晶体管全称双极型三极管(Bipolar junction transistor,BJT)又称晶体三极管,简称三极管,是一种固体半导体器件,可用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等。
2019-07-08
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深度解析Portable Stimulus:UVM集成
PSS和UVM的集成在一起不同于将两种语言进行集成。本文将列出这种集成的基本策略,以尽可能通用的语言来描述集成的六个步骤以及本文会详细介绍前三个步骤。
2019-07-06
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交流固态继电器的特点
交流固态继电器ssr(solid state releys)是一种无触点通断电子开关,它利用电子元件(如开关三极管、双向可控硅等半导体器件)的开关特性,可达到无触点无火花地接通和断开电路的目的,为四端有源器件,其中两个端子为输入控制端,另外两端为输出受控端。
2019-06-27
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一文带你读懂MOSFET
MOSFET的原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体),FET(Field Effect Transistor场效应晶体管),即以金属层(M)的栅极隔着氧化层(O)利用电场的效应来控制半导体(S)的场效应晶体管。
2019-05-30
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PHIIDF 2019|第一视角洞察智能产业生态
转眼间,菲尼克斯电气年度活动——菲尼克斯电气创新与行业发展论坛PHIIDF(Phoenix Contact Innovation and Industry Development Forum)已经走过六个年头,从最初的行业技术交流平台,已经发展成为中国电气和工控领域的顶级盛会。
2019-05-23
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这些只有PCB设计制造内行人才明白的黑话你知道吗?
Test Coupon,是用来以 TDR (Time Domain Reflectometer 时域反射计) 来测量所生产的 PCB 的特性阻抗是否满足设计的要求,一般要控制的阻抗有单端线和差分对两种情况,所以 test coupon 上的走线线宽和线距(有差分对时)要与所要控制的线一样,最重要的是测量时接地点的位置。
2019-05-20
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