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Vishay发布新系列SMD MLCC，用于安全认证应用
Vishay发布用于安全认证应用的新系列SMD MLCC，器件采用C0G(NPO)和X7R电介 质，提供X1/Y2和X2安全分级。适用于EMI和交流线路滤波，电源和电池充电器中的雷击 和电压浪涌保护，以及传真机和电话机、调制解调器和路由器等。
2013-09-26
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占位面积仅2mmx2mm，TrenchFET Gen III P沟道功率MOSFET
Vishay新款超小外形尺寸TrenchFET® Gen III P沟道功率MOSFET具有极低导通电阻，器件采用2mm x 2mm PowerPAK® SC-70封装，致力于便携式电子产品节省空间及提高效率。
2013-09-09
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Vishay新款TMBS®整流器，用于商业应用的低外形SMPD封装
Vishay发布16个新款45V、50V、60V、100V和120V整流器件，针对商业应用的低外形SMPD封装。器件的低正向压降减少了功率损耗，且器件非常适合自动配置，可进一步提高效率。
2013-09-09
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最低正向压降的肖特基整流器问世
日前，Vishay Intertechnology宣布，推出新款高电流密度的50V TMBS® Trench MOS势垒肖特基整流器---V10PN50和V15PN50。这两款器件是业内首批在10A和15A下的典型正向压降低至0.40V和0.41V，兼具优化的漏电流的器件，采用薄形TO-277A(SMPC)封装，可用于智能手机和平板电脑的充电器。
2013-09-04
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Vishay新款SMD MLCC，针对高频RF应用
Vishay发布新款SMD MLCC，针对高频RF应用，提供可靠的性能。该器件具有超过2000的超高Q值和低至0.01Ω的ESR，电压等级高达1500V，可用于电信、医疗、国防和工业设备。
2013-08-28
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Vishay发布高频RF应用新款SMD MLCC，Q值超2000
日前，Vishay 宣布推出针对高频RF应用高功率表面贴装多层陶瓷片式电容器(MLCC)，新款QUAD HIFREQ系列产品具有超过2000的超高Q值和低至0.01Ω的ESR，电压等级高达1500V，适用于电信、医疗、国防和工业设备。
2013-08-28
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Vishay推出手势遥控应用高功率高速红外发射器
日前，Vishay 宣布推出用于手势遥控应用的新款高功率高速940nm红外发射器VSLB9530S。该器件在100mA电流下的发射功率达40mW，在垂直方向和水平方向的半强角分别达到±18°和±36°，采用TELUX封装，且开关速度很快，时间仅15ns。
2013-08-28
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Vishay发布医疗设备用TANTAMOUNT固钽片式电容
日前，Vishay宣布推出新系列TANTAMOUNT表面贴装固钽模压片式电容器TM3系列，新款可靠的模塑电容器采用稳固的阳极设计、威布尔分级和Hi-Rel筛选，可在各种家用和医用非生命支持医疗监护和诊断设备中提供更好的性能和可靠性。
2013-08-22
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Vishay新增12款±35°半灵敏度角新款高速表面贴装光探测器
Vishay日前宣布推出采用微型鸥翼、倒鸥翼和侧视型封装及宽视角半球形透镜的新款高速光探测器。对于需要成对发射器-探测器的应用，新增二极管可以匹配Vishay的新款±25°和±28°发射器。其中，VEMD2xx3(SL) PIN光电二极管半灵敏度角为±35°，典型输出电流为10μA，具有1nA的极低暗电流；VEMT2xx3(SL)光电晶体管的典型输出电流为2.7mA。
2013-08-12
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Vishay推出高2.1mm的新款10mm标准SMD 7段LED数码管
Vishay发布高2.1mm的新款10mm标准SMD 7段LED数码管——VDMx10x0和VDMx10A1系列。该器件采用发光均匀、无污点的数码管和灰色封装表面，有红橙黄绿4种颜色，发光强度达2750μcd，可用于多种应用。
2013-08-07
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Vishay新款TMBS整流器在3A下正向压降仅0.34V
日前，Vishay宣布推出12款电流等级从6A至20A的新型45V、60V和100V的TMBS Trench MOS势垒肖特基整流器。新的整流器在3A下的正向电压降只有0.34V，采用表面贴装TO-252(DPAK)封装，非常适合商业应用。
2013-08-02
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Vishay发布军工和航天应用液钽高能电容器，业界容量最高
Vishay 日前宣布发布新款液钽高能电容器---HE4，这款器件在+25℃和1kHz条件下的最大ESR只有0.025Ω，在市场上类似器件当中容量最高，容量为1100µF～72000µF。HE4的制造工艺使其可以承受高应力和恶劣的环境，采用可在军工和航天应用中提高可靠性和性能的特殊壳体设计。
2013-07-26
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