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佳仕达携高能效绿色器件亮相中国(成都)电子展 掘金西部市场
西部市场吸引了众多产业链上游元器件供应商，分销商和方案商的关注。深圳市佳仕达科技有限公司于2012年8月16-18日在成都世纪新城国际会展中心2 号馆的中国(成都)电子展上以绿色、节能为主题，带来了最新的场效应管、肖特基、快恢复、电源IC、可控硅等高效能绿色器件，凭借着高可靠的性能和优质的服务，为佳仕达进一步打开中国西部市场吹响了号角。
2012-09-14
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阻容元件对音频放大器的影响及其选用
阻容元件是在音响设备中使用量最大的无源器件，近年来国内的音响制造商，在设计音源(CD或DVD)、功率放大器的过程中，非常重视集成块(IC)、晶体三极管、场效应管及电子管等有源器件的选用，在电路设计、产品工艺等方面取得了长足的进步。
2012-02-29
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大功率电源中MOSFET功率计算
要确定一个MOSFET场效应管是否适于某一特定应用，需要对其功率耗散进行计算。耗散主要包括阻抗耗散和开关耗散：PDDEVICETOTAL=PDRESISTIVE+PDSWITCHING
2012-02-07
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Buck电源中绝缘栅场效应管的驱动方法
单管降压电源，拓扑很简单，但由于MOSFET的源极电位不固定，驱动不是很容易。本文就斩波电源的不同驱动方式，分别就其电路的复杂性、驱动脉冲质量、价格成本以及工作频率的适应性等方面进行了分析和比较。
2012-01-19
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场效应管在音响电路中的合理应用
本文通过两个容易被发烧友特别是初学者所忽略的要点来说明场效应管的合理应用。目前，应用于音响领域的场效应管包括结型管(JFET)和绝缘栅场效应管(MOsFET)，而后者又分为LDMOS、VMOS及近年出现的UHC、IGBT等，并且至今仍在不断发展与完善之中。
2011-04-08
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CISSOID推出高温度30V小讯号P-FET场效应管
CISSOID，在高温半导体方案的领导者推出了一个行星家族(高温度晶体管及开关)的新成员。火星是一个高温度30V小讯号P-FET场效应管, 适合于-55 ℃至+225℃高温可靠运作。 由于它耐于极端温度,只有14pF的输入电容值及于+225° C下最高只有400nA闸极漏电流。所以这30V晶体管非常适合于高温度传感器介面,例如压电传感器或保护放大器。
2010-12-23
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RU75N08：锐骏推出专用MOSFET用于电动自行车控制
近年来,功率场效应管（MOSFET）在电源各个领域的应用越来越广泛。然而拥有MOSFET的研发能力的公司仅限于国外的几个半导体巨头，国产场效应管几乎是一片空白。 在这个背景下，深圳市锐骏半导体有限公司投巨资在国外建立了MOSFET半导体研发试验室。
2010-10-11
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场效应管型号大全 场效应管型号大全pdf下载
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2010-08-27
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选择高压场效应管实现节能的技巧
高压金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）技术在过去几年中经历了很大的变化，这为电源工程师提供了许多选择。了解不同MOSFET器件的细微差别及不同切换电路的应力，能够帮助工程师避免许多问题，并实现效率最大化。本文讲述高压场效应管如何实现节能。
2010-06-18
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IGBT在客车系统逆变器中的应用与保护
IGBT是大功率、集成化的“绝缘栅双极晶体管”(InsulatedGateBipolarTransistor)。它是80年代初集合大功率双极型晶体管GTR与MOSFET场效应管的优点而发展的一种新型复合电子器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降的优点
2009-08-24
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基于场效应管的直流电机驱动控制电路设计
本文主要讲了直流电机驱动控制电路总体结构，H桥功率驱动原理，直流电机驱动控制电路设计。
2008-10-30
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大功率宽带射频脉冲功率放大器设计
利用MOS场效应管(MOSFET)，采取AB类推挽式功率放大方式，采用传输线变压器宽带匹配技术，设计出一种宽频带高功率射频脉冲功率放大器模块，其输出脉冲功率达1200W，工作频段0.6M~10MHz。调试及实用结果表明，该放大器工作稳定，性能可靠。
2008-10-13
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