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贸泽电子携手Nordic举办窄带物联网技术研讨会
贸泽电子 (Mouser Electronics)宣布将携手Nordic于10月25日14:00-15:30举办主题为“Nordic超低功耗窄带蜂窝片上模组”的专题技术研讨会。届时，来自Nordic的资深技术专家将为大家带来Nordic的超低功耗产品在物联网方面的开发，助力工程师设计出更具性能优势的产品。
2022-10-20
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SiC MOSFET功率模块是快速充电应用的理想选择
碳化硅（SiC）MOSFET在功率半导体市场中正在迅速普及，因为一些最初的可靠性问题已经解决，并且价格水平已经达到了非常有吸引力的点。随着市场上的器件越来越多，了解SiC MOSFET的特性非常重要，这样用户才能充分利用每个器件。本文将为您介绍SiC MOSFET的发展趋势，以及由安森美（onsemi）所推出的1200V SiC MOSFET功率模块的产品特性。
2022-10-20
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自举电路工作原理和自举电阻和电容的选取
在一些低成本的应用中，特别是对于一些600V小功率的IGBT，业界总是尝试把驱动级成本降到最低。因而自举式电源成为一种广泛的给高压栅极驱动（HVIC）电路供电的方法，原因是电路简单并且成本低。
2022-10-19
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SiC MOSFET AC BTI 可靠性研究
作为目前碳化硅MOSFET型号最丰富的国产厂商派恩杰，不仅在功率器件性能上达到国际一流厂商水平，在AC BTI可靠性上更是超越国际一流厂商。总裁黄兴博士用高性能和高可靠性的产品证明派恩杰是国产碳化硅功率器件的佼佼者，展现了超高的碳化硅设计能力和工艺水平。
2022-10-19
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LED串中升压电源调节电流的示例
在此配置中，外设配置为产生大多数电流模式的固定频率电源。COG是互补输出发生器。其功能是通过上升沿和下降沿输入构成的可编程死区生成互补输出。CCP配置为生成可编程的频率上升沿。当电流超出斜率补偿器的输出时，比较器C1生成下降沿。CCP可与C1结合来产生占空比。一些拓扑（如升压、反激或SEPIC）需要占空比。运放OPA用于提供反馈和补偿。
2022-10-19
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ADI和Keysight Technologies强强联手 共推相控阵技术加速部署
中国，北京–2022年10月17日–Analog Devices, Inc (Nasdaq: ADI)和Keysight Technologies, Inc. (NYSE: KEYS)宣布合作，共同加速相控阵技术的推广与部署。相控阵技术能够简化与创建卫星通信、雷达和相控阵系统相关的开发工作，是实现无处不在的连接和泛在检测的关键。
2022-10-18
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瑞萨电子完成对Steradian的收购
2022 年 10 月 17 日，日本东京讯 - 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）今日宣布，截至2022年10月17日已完成对提供4D成像雷达解决方案的无晶圆半导体公司Steradian Semiconductors Private Limited（“Steradian”）的收购。
2022-10-18
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贸泽电子提供丰富资源帮助工程师打造未来自主移动机器人
专注于引入新品的全球半导体和电子元器件授权分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 为工程师提供有关工业自动化应用的丰富信息，包括加速设计和开发自主移动机器人 (AMR) 所需的资源和产品。
2022-10-17
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善用可靠且性价比高的隔离技术来应对高电压设计挑战
本文将概述电隔离，解释高压系统的常用隔离方法，并展示德州仪器 (TI) 隔离集成电路 (IC) 如何帮助设计人员可靠地满足隔离需求，同时缩小解决方案尺寸并降低成本。
2022-10-17
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贸泽电子新增36家品牌制造商 进一步扩大产品分销阵容
2022年10月13日 – 专注于引入新品的全球半导体和电子元器件授权分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 截止到2022年8月底新增了36家制造商，进一步扩充了产品分销阵容。贸泽目前分销1200多家品牌制造商，为全球设计工程师客户群、元器件采购人员、采购代理、教育工作者和学生提供广泛的产品选择。
2022-10-13
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芯片测试大讲堂——MIPI D-PHY
大家好，由是德科技与上海集成电路技术与产业促进中心（上海ICC）联合执笔的芯片测试系列与大家见面了，本期内容将聚焦于MIPI D-PHY测试，其中的内容汇集了双方诸位资深工程师的一手经验，摘要如下：
2022-10-12
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测量SiC MOSFET栅-源电压时的注意事项：一般测量方法
SiC MOSFET具有出色的开关特性，但由于其开关过程中电压和电流变化非常大，因此如Tech Web基础知识 SiC功率元器件“SiC MOSFET：桥式结构中栅极－源极间电压的动作-前言”中介绍的需要准确测量栅极和源极之间产生的浪涌。在这里，将为大家介绍在测量栅极和源极之间的电压时需要注意的事项。我们将以SiC MOSFET为例进行讲解，其实所讲解的内容也适用于一般的MOSFET和IGBT等各种功率元器件，尽情参考。
2022-10-11
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