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可尽早捕获缺陷的DDR仿真策略，让缺陷“无处遁形”
DDR验证是任何SoC设计过程中最关键也是最复杂的任务之一，因为它牵涉到位于待测器件内的控制器和位于待测器件外的DDR存储器。一个DDR系统由在一起工作的控制器、I/O、封装、插座、电源、时钟和外部存储器组成。在数字验证中，并不是所有这些元件都能验证到，但主要是控制器、PHY、I/O和存储器。由于在数字仿真中无法模拟所有元件的效应，验证变得更加复杂，但门级仿真(GLS)给我们提供了一个很好的基础架构，来报告主要从时序角度看可能影响控制器-PHY-I/O路径的设计问题。
2015-11-16
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对比分析串行和并行接口SRAM，谁胜一筹？
基于SRAM应用的存储器，都选择并行接口。而众所周知外置SRAM都配有并行接口，于串行接口相比，并行接口拥有明显的优势。对于使用SRAM高性能应用而言，并行接口也比串行接口更具优势。
2015-11-04
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2015年国内知名集成电路设计、晶圆代工厂、半导体封装测试厂家名录大全
存储器厂商和晶圆代工厂合计占2015年行业总支出的约三分之二，三星、台积电和英特尔三家公司加起来占了全行业支出额的一半。2015年国内知名集成电路设计、晶圆代工厂、半导体封装测试厂名录如下，欢迎小伙伴收藏！
2015-10-29
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技术详解：单片机中各种周期的关系与定时器原理
单片机到底是什么呢？就是一个电脑，只不过是微型的，麻雀虽小，五脏俱全。它内部也有和电脑功能类似的模块，比如CPU，内存，并行总线，还有和硬盘作用相同的存储器件。
2015-10-04
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东芝进一步扩大基于ARM Cortex-M的微控制器产品阵容
东芝宣布已加强其基于ARM核的微控制器的当前“TX系列”，并已开始开发三个系列的微控制器：“TXZ0系列”、“TXZ3系列”以及“TXZ4系列”，还计划开发嵌入新的非易失性存储器的产品。
2015-08-04
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东芝两种新工艺技术适用于微控制器和无线通信集成电路
东芝宣布，该公司已基于使用小于当前主流技术功率的65纳米逻辑工艺开发了闪存嵌入式工艺，以及基于130纳米逻辑及模拟电源工艺开发了单栅非易失性存储器（NVM）工艺。
2015-08-03
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是德科技 M8000 系列误码测试平台添加 PAM-4 支持
日前，是德科技公司宣布旗下 M8000 系列误码测试平台增加 PAM-4 数据格式和内置误差计数器支持，进一步丰富其 PAM-4 测试解决方案。PAM-4 支持以及集成器件内置误差计数器的能力可帮助研发与测试工程师，确保高效的高速数字接收机表征与测试，满足数据中心网络、存储器和计算机等行业的应用需求。
2015-07-28
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IC上电复位电路之——上电复位和关断功能
现如今很多的电路都设计的精密复杂，其目的就是为了确保电路在开启后快速进入已知状态，在保留存储器内容的同时，还能节省功耗，快速引导。本文就讲解了IC上电复位电路的上电复位和关断功能。
2015-07-28
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拆解谷歌媒体设备：35美元的硬件到底有何乾坤？
本文就跟随小编一起拆解谷歌Chromecast流媒体设备，看看里面35美元的硬件到底有何乾坤。随着把小编的介绍，我们会看到谷歌Chromecast流媒体设备的后盖板、金属屏蔽罩、铝片散热器、PCB上层发热IC以及Chromecast的存储器。
2015-07-01
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从业20年工程师讲述软错误是怎么损坏存储器中信息的？
本文由从业20年工程师倾情讲述软错误是如何发生，如何破坏半导体存储器中的重要信息。有此问题引出软错误的来源及其发生概率问题。软错误影响着存储单元中的每个存储位，改变它们的状态。但是存储器中的片上纠错码却可以消减软错误的影响。
2015-06-16
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SST与GLOBALFOUNDRIES共同推出非易失性存储器，实现低功耗、低成本、高可靠性
2015年5月15日，Microchip Technology Inc.（美国微芯科技公司）通过其全资子公司Silicon Storage Technology（SST）与GLOBALFOUNDRIES共同宣布，其共同推出的SST 55nm嵌入式SuperFlash® 非易失性存储器（NVM）产品已通过全面认证并开始向市场供货，该产品基于GLOBALFOUNDRIES 55nm低功耗强化型（LPx）/RF平台。
2015-05-15
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三星爆存储器存隐患，都是谷歌的错吗？
三星或许是目前销量仅次于苹果的手机制造商了，从市场表现来看三星最近的几款机型都有不错的市场反应，但根据三星英国区官方Facebook账号所发布的消息来看，三星承认了旗下大受欢迎的GalaxyS6系列手机的存储器管理功能存在缺陷，三星的技术人员正在极力解决，从而确保系统的流畅运作。
2015-05-11
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