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大功率晶闸管参数解析之开关特性
功率二极管晶闸管广泛应用于AC/DC变换器、UPS、交流静态开关、SVC和电解氢等场合，但大多数工程师对这类双极性器件的了解不及对IGBT的了解，为此我们组织了6篇连载，包括正向特性，动态特性，控制特性，保护以及损耗与热特性。内容摘自英飞凌英文版应用指南AN2012-01《双极性半导体技术信息》。
2021-09-08
晶闸管 参数解析 开关特性
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仿真看世界之650V混合SiC单管的开关特性
英飞凌最近推出了系列650V混合SiC单管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD续流二极管，取代了传统Si的Rapid1快速续流二极管，配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5)，进一步优化了系统效率、性能与成本之间的微妙平衡。
2021-09-08
仿真 SiC单管 开关特性
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伺服电机驱动接口、电源保护方案
伺服是按控制命令的要求，对功率进行放大、变换以及调控等处理，使驱动装置输出的力矩、速度和位置能被控制得非常灵活、方便。
2021-09-08
伺服电机 接口 电源保护
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射频氮化镓：趋势和方向
在过去的 10 年中，氮化镓已经成为一种越来越重要的射频应用技术。氮化镓的材料特性使其器件在功率密度、外形尺寸、击穿电压、热导率、工作频率、带宽和效率方面具有优势。设计师们已经开发出器件解决方案，与竞争性的半导体技术相比，具有非常吸引人的性能特点。
2021-09-08
射频 氮化镓 趋势
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反激同步整流对EMI的影响
过去十年间，移动设备的快速发展让手机应用渗透到社会的方方面面。日常生活中，人们几乎手机不离身。因此，大电池容量及快速充电速度成为手机最关键的杀手锏之一，这也对适配器提出了更高额定功率和更高功率密度的需求，且需求正呈指数级增长。
2021-09-08
反激同步整流 EMI
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面向48V数据中心应用的高度集成、可扩展、均流热插拔解决方案
从几百瓦到几千瓦，数据中心的服务器和机架功率大幅提高。但高功率水平在多个服务器上分配会不可避免地产生较大的功率损耗，从而损害效率。将传统的12V配电电压转换为48V可以缓解这个问题。
2021-09-08
数据中心 热插拔 解决方案
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100%国产化低相位噪声频率综合器研制成功
频率综合器是现代电子系统的重要组成部分，在通讯、雷达、电子对抗、遥控遥测和仪器仪表等众多领域得到了广泛应用。尤其是在卫星导航通信、5G6G、量子通讯、电子战等系统中，频率综合器一直都是射频系统的核心部件。随着电子信息技术的发展，电子系统的高性能和小型化已经成为了一个必然的发展趋势...
2021-09-08
国产化 低相位噪声 频率综合器
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