-
第5讲：SiC的晶体缺陷
SiC晶体中存在各种缺陷，对SiC器件性能有直接的影响。研究清楚各类缺陷的构成和生长机制非常重要。本文带你了解SiC的晶体缺陷及其如何影响SiC器件特性。
2024-09-12
SiC 晶体缺陷
-
如何正确使用二极管
二极管和晶体管都是如此，它们由二极管 P 和 N 材料制成。二极管类别包括两个可能对控制工程师很重要的例子：硅二极管和 LED。
2024-09-12
二极管
-
艾迈斯欧司朗亮相2024 CIOE，多款创新产品引领光电新潮
全球领先的光学解决方案供应商艾迈斯欧司朗（瑞士证券交易所股票代码：AMS）今日宣布，将携传感、光源和可视化领域最新产品和技术组合，亮相第二十五届中国国际光电博览会（CIOE）。作为新质生产力的代表，光电技术正高效赋能千百行业，不仅重塑传统制造业，推动智能制造与工业自动化迈向新高度，更...
2024-09-12
艾迈斯欧司朗 光电
-
半导体后端工艺 第十一篇（完结篇）：半导体封装的可靠性测试及标准
本系列文章详细介绍了半导体后端工艺，涵盖了从不同类型的半导体封装、封装工艺及材料等各个方面。作为本系列的收篇之作，本文将介绍半导体的可靠性测试及标准。除了详细介绍如何评估和制定相关标准以外，还将介绍针对半导体封装预期寿命、半导体封装在不同外部环境中的可靠性，及机械可靠性等评估...
2024-09-12
半导体 后端工艺 封装
-
充电器基础知识以及电量计分区为何如此重要
电池充电系统的关键组件是充电器本身和电量计，电量计可电池充电状态 (SOC)、电量耗尽时间和充满电时间等指标。电量计可在主机端或电池组中实现（见图 1）。
2024-09-11
充电器 电量计分区
-
为什么存储系统的性能对AI工作负载至关重要？
数据是各种现代企业的生命线，而数据存储、访问与管理策略对企业的生产力、盈利能力以及竞争力会产生显著影响。随着人工智能（AI）的兴起，各行各业都在经历变革，企业不得不重新思考如何利用数据来加速创新和增长。然而，AI训练和推理对数据管理和存储提出了独特的挑战，因为它们需要处理庞大的数...
2024-09-11
存储系统 AI 工作负载
-
第4讲：SiC的物理特性
SiC作为半导体功率器件材料，具有许多优异的特性。4H-SiC与Si、GaN的物理特性对比见表1。与Si相比，4H-SiC拥有10倍的击穿电场强度，可实现高耐压。与另一种宽禁带半导体GaN相比，物理特性相似，但在p型器件导通控制和热氧化工艺形成栅极氧化膜方面存在较大差异，4H-SiC在多用途功率MOS晶体管的制备...
2024-09-11
SiC
- 挑战极限温度：高温IC设计的环境温度与结温攻防战
- 聚焦成渝双城经济圈：西部电博会测试测量专区引领产业升级
- 专为STM32WL33而生：意法半导体集成芯片破解远距离无线通信难题
- 隔离式精密信号链定义、原理与应用全景解析
- 隔离式精密信号链的功耗优化：从器件选型到系统级策略
- GaN如何攻克精密信号链隔离难题？五大性能优势与典型场景全揭秘
- 模拟芯片原理、应用场景及行业现状全面解析
- 减排新突破！意法半导体新加坡工厂冷却系统升级，护航可持续发展
- 电压放大器：定义、原理与技术应用全景解析
- 展会里面谈合作，产业链中找伙伴 | 2025世界电源产业博览会助力企业发展
- 多通道同步驱动技术中的死区时间纳米级调控是如何具体实现的？
- 集成化栅极驱动IC对多电平拓扑电压均衡的破解路径
- 车规与基于V2X的车辆协同主动避撞技术展望
- 数字隔离助力新能源汽车安全隔离的新挑战
- 汽车模块抛负载的解决方案
- 车用连接器的安全创新应用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
