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艾迈斯欧司朗亮相2024 CIOE，多款创新产品引领光电新潮
全球领先的光学解决方案供应商艾迈斯欧司朗（瑞士证券交易所股票代码：AMS）今日宣布，将携传感、光源和可视化领域最新产品和技术组合，亮相第二十五届中国国际光电博览会（CIOE）。作为新质生产力的代表，光电技术正高效赋能千百行业，不仅重塑传统制造业，推动智能制造与工业自动化迈向新高度，更...
2024-09-12
艾迈斯欧司朗 光电
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半导体后端工艺 第十一篇（完结篇）：半导体封装的可靠性测试及标准
本系列文章详细介绍了半导体后端工艺，涵盖了从不同类型的半导体封装、封装工艺及材料等各个方面。作为本系列的收篇之作，本文将介绍半导体的可靠性测试及标准。除了详细介绍如何评估和制定相关标准以外，还将介绍针对半导体封装预期寿命、半导体封装在不同外部环境中的可靠性，及机械可靠性等评估...
2024-09-12
半导体 后端工艺 封装
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充电器基础知识以及电量计分区为何如此重要
电池充电系统的关键组件是充电器本身和电量计，电量计可电池充电状态 (SOC)、电量耗尽时间和充满电时间等指标。电量计可在主机端或电池组中实现（见图 1）。
2024-09-11
充电器 电量计分区
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为什么存储系统的性能对AI工作负载至关重要？
数据是各种现代企业的生命线，而数据存储、访问与管理策略对企业的生产力、盈利能力以及竞争力会产生显著影响。随着人工智能（AI）的兴起，各行各业都在经历变革，企业不得不重新思考如何利用数据来加速创新和增长。然而，AI训练和推理对数据管理和存储提出了独特的挑战，因为它们需要处理庞大的数...
2024-09-11
存储系统 AI 工作负载
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第4讲：SiC的物理特性
SiC作为半导体功率器件材料，具有许多优异的特性。4H-SiC与Si、GaN的物理特性对比见表1。与Si相比，4H-SiC拥有10倍的击穿电场强度，可实现高耐压。与另一种宽禁带半导体GaN相比，物理特性相似，但在p型器件导通控制和热氧化工艺形成栅极氧化膜方面存在较大差异，4H-SiC在多用途功率MOS晶体管的制备...
2024-09-11
SiC
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边界工况推动下，汽车图像传感器的四大发展方向
随着自动驾驶等级进阶，搭载的摄像头数量越来越多性能越来越高。为帮助自动驾驶车辆描绘出一幅幅精准细腻的“路况图”，其幕后英雄图像传感器正在崭露头角，高分辨率、高动态范围等技术方向的推进迫在眉睫。
2024-09-11
汽车 图像传感器
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氮化镓在高压应用中提供强大的解决方案
在电子工程领域，向更高工作电压发展的趋势是由各种应用中对提高效率和功率密度的需求所推动的。氮化镓（GaN）技术正作为一种强大的解决方案来满足这些需求。
2024-09-11
氮化镓 高压应用
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