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小尺寸集成电路CDM测试
集成电路(IC)的静电放电(ESD)强固性可藉多种测试来区分。最普遍的测试类型是人体模型(HBM)和充电器件模型(CDM)。这两种ESD测试类型旨在揭示包含基本ESD控制的制造环境下，电路在ESD应力下的存续情况如何。HBM是应用最久的ESD测试，但工厂ESD控制专家普遍认为，在现代高度自动化的组装运营中，CDM是...
2011-10-12
CDM测试 IC HBM 集成电路
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2011年韩国电子展于在首尔开展
2011年韩国电子展于在首尔开展
2011-10-11
电子展
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上海亚洲电子展上将出现的台湾准五大“风”潮
上海亚洲电子展上将出现的台湾准五大“风”潮
2011-10-11
电子展
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Vishay的SiR662DP功率MOSFET获《今日电子》Top10 DC/DC电源产品奖
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其SiR662DP 60V n沟道TrenchFET®功率MOSFET被《今日电子》杂志评为第九届年度Top-10 DC/DC电源产品奖的获奖产品。
2011-10-11
SiR662DP Vishay 功率MOSFET 电源产品
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开关电源的干扰分析及其抑制措施
开关电源本身产生的干扰直接危害着电子设备的正常工作抑制开关电源本身的电磁噪声．是开发和设计开关电源的一个重要课题。简要地对开关电源电磁干扰产生、传播的机理进行了介绍，总结了几种主要的抑制开关电源电磁干扰产生及传播的方法。
2011-10-11
开关电源 干扰 抑制
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三相IGBT全桥隔离驱动电源设计
本文针对10 kW三相IGBT全桥变换器设计了一种隔离驱动电源，提供4路相互隔离的输出，每路输出均提供+15 V／-9 V电源。电源功率较小，考虑成本和效率，采用单端反激式结构。
2011-10-11
IGBT 全桥隔离 驱动电源 隔离驱动电源 变换器
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高压功率VDMOSFET的设计与研制
随着现代工艺水平的提高与新技术的开发完善，功率VDMOSFET设计研制朝着高压、高频、大电流方向发展，成为目前新型电力电子器件研究的重点。本文设计了漏源击穿电压为500 V，通态电流为8 A，导通电阻小于O．85 Ω的功率VDMOSFET器件，并通过工艺仿真软件TSUPREM-4和器件仿真软件MEDICI进行联合优化仿...
2011-10-11
VDMOSFET 高压功率MOS管 MOSFET
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