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MEMS开始新的两位数增长阶段
微机电系统(MEMS)市场2010年强劲增长，营业收入同比增长18.3%。但据IHS iSuppli公司的最新研究，这只是MEMS和传感器市场新一轮两位数增长周期的开始，其增长趋势将持续到 2014年。
2011-01-25
MEMS MEMS市场 微机电系统
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SiA427DJ：Vishay 推出P沟道器件最低导通电阻TrenchFET®功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，推出新款8V P沟道TrenchFET® 功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mm x 2mm占位面积的热增强型PowerPAK® SC-70封装，具有迄今为止P沟道器件所能达到的最低导通电阻。
2011-01-25
SiA427DJ Vishay TrenchFET®功率MOSFET
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阻抗变换器在有源滤波器中的应用
在音频系统中，为了避免因采用半导体或其它有源器件带来的非线性和频率特性畸变，保证实现平坦而宽阔的高频响应，通常选用分立元件构成的滤波器来满足DSD对频率带宽的苛刻要求。本文讲述阻抗变换器在有源滤波器中的应用……
2011-01-25
阻抗变换器 GIC 滤波器
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小电流可控硅固体开关的研制
本文通过脉冲变压器隔离控制28个串联可控硅（TYNl225），得到了20kV小电流开关，对固体开关的串联技术进行了试验研究，并讨论了串联电路所涉及到的触发信号的高压隔离技术、驱动信号同步技术以及功率器件的动态静态均压技术。
2011-01-25
可控硅固体开关 固体继电器 SSR
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台厂高管称太阳能电池价格低谷已过
潘文辉表示，由于欧洲寒冬、圣诞长假、FIT补助政策出台未期以及市场供过于求等四大因素，致使去年12月太阳能电池跌价。但从目前的情况来看，FIT政策出台差不多定调，1月面临的环境已没有去年12月份的困扰因素，因此，太阳能电池价格的低谷已过去。
2011-01-25
太阳能 电池 价格低谷
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低功耗高转换速率CMOS模拟缓冲器
在这篇文章里，我介绍了一种能达到AB类特性轨到轨CMOS模拟缓冲器的电路技巧，产生了具有低功耗和高的驱动能力的方法。
2011-01-24
CMOS 模拟缓冲器 PMOS NMOS
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IGBT驱动与保护电路
多绝缘栅双极型晶体管IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)是一种由双极型晶体管与MOSFET组合的器件，它既具有MOSFET的栅极电压控制快速开关特性，又具有双极型晶体管大电流处理能力和低饱和压降的特点，近年来在各种电能变换装置中得到了广泛应用。本文基于EXB841设计IGBT的驱动电路如图2所示，包...
2011-01-24
IGBT 保护电路 EXB841
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