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使用SiC MOSFET和Si IGBT栅极驱动优化电源系统
在电动汽车 (EV) 和光伏 (PV) 系统等绿色能源应用所需的 DC-DC 转换器、电池充电器、电机驱动器和交流 (AC) 逆变器中，碳化硅 (SiC) MOSFET 和硅 (Si) IGBT 是关键元件。但是如要获得最高的效率，SiC MOSFET 和 Si IGBT 的栅极在导通和关断时需要精确的驱动电压（具体取决于所使用的器件）。
2023-08-03
SiC MOSFET Si IGBT 栅极驱动 电源系统
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1200V,1700V,2000V......高性能碳化硅器件如何应对持续挑战？
SiC 等宽禁带 (WBG) 器件对于当今汽车和可再生能源等应用至关重要。随着我们的世界逐渐转向使用可持续能源（主要是电力），能效比以往任何时候都更重要。提高开关模式能效的方法之一是降低铜损和开关损耗。然而，为了应对这一挑战，直流母线电压不断上升，半导体技术必须发展以跟上步伐。这些技术对...
2023-08-03
高性能 碳化硅器件 安森美
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稳压二极管的动态电阻
稳压二极管是利用其反向击穿时电流会急剧升高的特性进行稳压，表现出此时的动态电阻 Rz，也就是增加的 电压除以增加的电流 ，所得到的比值比较小，这样就会使得外部电压的波动对稳压二极管两端电压影响较小。
2023-08-03
稳压二极管 动态电阻
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晶闸管在UPS旁路应用中的损耗计算
功率晶闸管广泛应用于AC/DC变换器，UPS旁路等场合。本文通过公式计算和在线IPOSIM仿真两种方式，对晶闸管在UPS旁路应用中的损耗计算和结温预估进行说明，给广大工程师在晶闸管选型时提供帮助。晶闸管在AC/DC整流应用中的损耗计算，请参考微信文章《PIM模块中整流桥的损耗计算》。
2023-08-03
晶闸管 UPS 损耗
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AFE8092帧同步特性简析
TI Transceiver芯片是高集成度，高性能的射频收发器芯片。产品族内产品架构种类丰富。在产品架构方面，包括了以AFE77xx系列为代表的零中频架构收发信机，以AFE80xx, AFE79xx，AFE76xx系列为代表的射频直采架构收发信机。在产品通道数方面，支持最低2T2R1F，4T4R2F到8T8R2F的通道数。同时，也支持大...
2023-08-03
AFE8092 射频收发器
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一文解读GNSS信号对网络中授时应用的益处
无论身在何处，我们对于无时无刻地观看视频内容已经习以为常。但对负责、构建和维护底层网络的幕后工作者而言，事情并没有那么简单，消费者日益提升的期望给他们带来了重重难题。
2023-08-02
GNSS信号 L1频段GNSS
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数字控制器补偿模拟控制器
用于电源控制的新兴数字 IC 缺乏模拟 IC 中常见的基本功能，例如内置栅极驱动和电流限制。数字电源控制器通常仅具有 PWM（脉宽调制）逻辑输出，并且分立栅极驱动器很少包含电流限制。此外，大多数受保护的 FET 仅在低频、低侧应用中工作。
2023-08-02
数字控制器 模拟控制器
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