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新材料对测量技术的挑战
在谈及芯片技术进步时，除了不断缩小的技术节点，新材料的采用往往可以另辟蹊径。目前谈论较多的是高k介质、金属栅、低k材料等，其它一些较为冷门的材料，如碳纳米管、石墨稀、二嵌段共聚物等也开始进入人们的视野。越是新兴的物质越难以捉摸和测量，这就要求测量技术能够“与时俱进”。本文对新材料...
2010-06-23
新材料 测量技术 3D集成 硅通孔技术
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RPO推出数字光波导触控技术 明年一月全面商用发货
RPO针对便携式电子系统推出光波导触控技术，明年一月全面商用发货。
2010-06-23
RPO 数字光波导 触控技术
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日置即将推出最新IM3570阻抗分析仪
即将发售的阻抗分析仪IM3570是测量频率4Hz~5MHz，测试电平5mV~5V的LCR电桥与阻抗分析仪合二为一的仪器。因为对应不同测量条件都能高速连续测量，所以在需要使用众多仪器检查的生产线上，仅IM3570一台便可实现。
2010-06-23
日置 IM3570 阻抗分析仪
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半导体制造晶圆检测技术分析
半导体制造业广泛采用了晶圆自动检测方法在制造过程中检测缺陷，以缓解工况偏差和减低总缺陷密度。本文介绍晶圆检测方法进展，有效方式识别与良率相关的缺陷。
2010-06-22
晶圆检测 缺陷检测 在线晶圆检测
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通孔刻蚀工艺的检测技术研究
随着半导体制造技术推进到更加先进的深亚微米技术，半导体金属布线的层数越来越多，相应的通孔刻蚀工艺也越多，并且伴随着通孔的尺寸随着器件设计尺寸逐步缩小。以DRAM制造为例，存储量由4M发展到512M时，设计规则由1μm缩小到0.16μm，其中通孔的尺寸也从0.8μm下降到了0.25μm。通孔尺寸越小，刻蚀的...
2010-06-22
通孔刻蚀工艺 检测技术 晶体管
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射频封装系统
在RF系统中，各类元件采用不同的技术制作而成，例如BBIC采用CMOS技术、收发机采用SiGe和BiCMOS技术、RF开关采用GaAs技术等。系统芯片(SOC)的优势是把所有功能整合在同一块芯片上，但却受到各种IC技术的限制，因此不能有效利用上述各项技术的优势。系统级封装(SiP)可以对各种不同技术的不同电、热和...
2010-06-22
射频 封装系统 ASIC BBIC
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原子层淀积技术
ALD技术的独特性决定了其在半导体工业中的运用前景十分广泛。器件尺寸的缩小导致的介质薄膜厚度的减小已超出了其物理和电学极限，同时高纵宽比在器件结构中随处可见。由于传统的淀积技术很难满足需求，ALD技术已充分显示了其优势，为器件尺寸的继续微缩提供了更加广阔的空间。本文介绍原子层淀积技...
2010-06-22
原子层淀积 ALD MOCVD PVD
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