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IR上市导通电阻仅0.95mΩ的25V耐压功率MOSFET
据称，该功率MOSFET的导通电阻与全部栅极电荷量的乘积FOM（figure of merit，优值）为“业界最高”。全部栅极电荷量为标准50nC。最大栅源间电压为±20V，最大漏电流为37A。批量购买1万个时的单价为1.50美元。
2010-04-19
IR 导通电阻 耐压 功率MOSFET
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节能技术研讨会闭幕 低碳经济催热新型节能技术
节能技术研讨会闭幕 低碳经济催热新型节能技术
2010-04-16
节能技术研讨会闭幕 低碳经济催热新型节能技术
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新一代低VCEsat双极晶体管
近年来，中功率双极晶体管在饱和电阻和功率范围上的重大突破，极大地拓宽了此类器件的应用领域。恩智浦最新推出的SMD封装中功率晶体管(BISS 4)再次显现出双极晶体管的技术优势，在为开关应用带来了开关损耗更小，效率更高的同时，也赢得了更多的市场空间。
2010-04-16
双极晶体管 SMD BISS 4
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2011年电路保护市场将持续增长
2011年，市场预测预测表明：表面贴装式压敏电阻将在手机和汽车电子市场持续成长；聚合物PTC热敏电阻在传统过流保护如笔记本电脑和上网本的USB防护和电池的二次防护方面得到发展；NTC热敏电阻的市场重心将偏向汽车和大型家庭用空调系统（其价值在于组件的生产，而不是热敏电阻本身）；气体放电管由于...
2010-04-16
过流保护 过压保护 电路保护
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亚洲表面贴装盛会下周上海举行
有力推动我国电子生产行业制造水平亚洲表面贴装盛会下周上海举行
2010-04-16
亚洲表面贴装盛会下周上海举行
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不断挑战小型化，大河晶振以新的灵感创造最先进的产品
世间的流水滋润着人们的生活，虽然江河日复一日的在流淌，然而每天流着不同的水。大河晶振也犹如汇入江河的源头活水，不断以新的灵感创造着最先进的产品。2010年4月9日，电子元件技术网记者在深圳会展中心第75界中国电子展（CEF）大河晶振（RIVER ELETEC）的展位上现场采访了西安大河晶振科技有限公...
2010-04-16
挑战小型化 大河晶振 先进的产品 SZ2010
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全球半导体设备资本支出衰退潮有望扭转
国际研究暨顾问机构Gartner发布最终统计结果，2009年全球半导体设备资本设备支出为166亿美元，较2008年衰退45.8%。在主要设备部门中，受到削减资本支出的冲击，晶圆厂设备支出大幅下滑47%，后端设备(BEE)支出亦减少40%。
2010-04-16
半导体设备 资本支出 衰退潮 扭转
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