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LED死灯原因分析探讨
我们经常会碰到LED不亮的情况,封装企业、应用企业以及使用的单位和个人,都有可能碰到,这就是行业内的人说的死灯现象。本文重点分析LED死灯原因和防护。
2010-01-28
LED 死灯原因 静电
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泰克SuperSpeed测试解决方案帮助NEC电子获得世界首项USB 3.0认证
全球示波器市场的领导厂商—泰克公司日前宣布，其SuperSpeed USB解决方案为NEC电子符合USB 3.0标准的主机提供信号质量监测，该主机是世界首款获得USB设计者论坛USB 3.0认证的产品。
2010-01-27
泰克 SuperSpeed NEC电子 USB 3.0 AWG7122B 示波器
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Vishay的101/102 PHR-ST螺旋式接线柱功率铝电容器新增三种更大的外形尺寸
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其101/102 PHR-ST螺旋式接线柱功率铝电容器新增了90mm x 146mm、76mm x 220mm及90mm x 220mm三种更大的外形尺寸，接线柱的长度为13mm。
2010-01-27
Vishay 101/102 PHR-ST 电容器 RoHS指令 UPS设备
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推动LED产业发展需加强国产MOCVD设备开发
第十一届全国MOCVD学术会议于2010年1月12日在江苏苏州召开，为期2天，会议上跟许多专家和学者进行了交流，本次MOCVD探讨的主要应用集中在LED，太阳能/激光器方面的应用也不少。国内MOCVD的总体感觉是：关注的人多，做的人少。
2010-01-27
LED MOCVD 设备
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采用PowerFill外延硅工艺的电源器件
ASM International推出了其PowerFill的外延硅（Epi Si）沟槽填充工艺。新工艺可使带有掺杂物的外延硅深沟无缝隙填充。 PoweRFill是一个精湛的工艺技术，因为它是同类流程速度的3倍，降低制造成本，创造了为电源设备设计在设计程度上新的级别。
2010-01-27
ASM PowerFill 外延硅工艺 电源器件 Fairchild
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Vishay Siliconix 推出4款600V MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新的600V MOSFET --- SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263)，将其Super Junction FET®技术延伸到TO-220、TO-220F、TO-247和TO-263封装。
2010-01-27
Vishay MOSFET FET®技术
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罐式电容式电压互感器研制成功
国网电科院研制的罐式结构特高压电容式电压互感器。其短时工频耐受电压达到1100kV/5min、雷电冲击耐受电压达到2400kV、操作冲击耐受电压达到1800kV，二次绕组准确级达到0.2/0.5/0.5(3P)/3P。
2010-01-27
罐式电容式 电压互感器 研制成功
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