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使用栅极电阻控制IGBT的开关
栅极电阻会影响IGBT的开关时间、开关损耗及各种其他参数，必须根据具体应用的参数非常仔细地选择和优化。一般情况下，减小栅极电阻阻值可降低IGBT的开关损耗，但同时也必须注意快速的导通关断所带来的电压尖峰和电磁干扰。
2008-11-02
栅极电阻 IGBT MOSFET 栅极峰值电流
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如何根据需要恰当选择电机
深入了解各种电机的特点有助于工程师对所需的应用选择适当的电机。本文简单介绍永磁有刷换向直流电机、无刷直流电机与混合式步进电机的工作原理，并从若干方面对这几种电机的特点进行详细的分析比较，以助于工程师选择参考。
2008-11-02
永磁有刷换向直流电机 无刷直流电机 混合式步进电机
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电动助力转向系统(EPS)电机驱动电路的设计
电动助力转向系统（EPS）由电动机直接提供转向助力，只需通过改变控制器软件的设计，即可方便地调节汽车系统的助力特性。本文介绍了利用MC9S12系列单片机为微控制器的EPS控制系统电机驱动电路的设计，经试验该系统性能良好，可基本满足电动助力系统转向系统的需要。
2008-11-02
MOSFET EPS MC9S12 NE555
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步进电机H桥驱动电路设计
本文设计的步进电机H桥驱动电路，使加到电机绕组上的电流信号前后沿较陡，降低了开关损耗，改善了电机的高频特性，同时具有多种保护功能．实验证明，该驱动电路简单、可靠并具有优良的驱动性能。
2008-11-02
H桥 功率驱动 MOSFET U14 1N4744
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MOSFET及MOSFET驱动电路总结
常用MOSFET管主要有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，两者在导通的时候都会有导通损耗和开关损失出现，要想办法降低这两种损失。在MOS管的驱动问题方面，除了要考虑导通电压的问题，速度也是一个考察的方面。
2008-11-02
MOSFET NMOS PMOS 导通损耗 开关损失
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IPM驱动和保护电路的研究
智能功率模块(IPM)是集GTR及MOSFET两者优点于一身的功率开关器件，，内置的驱动和保护电路缩短了系统开发时间，也提高了故障下的自保护能力。本文简单介绍了IPM的基本工作特性和常用IPM驱动和保护电路的设计方法，并给出了设计实例。
2008-11-02
IPM IGBT MOSFET PM100DSA120 PIC
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IGBT驱动与保护技术在直流调速系统中的应用
本文将大功率开关器件IGBT应用在功率变换电路及直流调速系统中。阐述了IGBT 驱动器的基本要求，同时介绍了EXB841 芯片内部结构，并分析了系统的工作原理。
2008-11-02
IGBT AT89C51 EXB841 转速测量
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