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通过1-Wire技术简化TWS耳机解决方案
本设计将ADI公司独有的1-Wire®技术首次运用到TWS耳机解决方案中，使用1-Wire双向桥接器DS2488，在满足能量传输和数据通信要求的基础上，具备低成本、低功耗、高精度、小尺寸、高效率等诸多优势，是TWS耳机的理想解决方案。
2022-06-16
1-Wire技术 TWS耳机 解决方案
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基于小华HC32F460的10万RPM高速风筒方案
电吹风已是我们生活必备的小工具，高速风筒以其高效速干、体积小质量轻等优势让使用者获得更好的使用体验，本篇将带大家了解高速风筒的特点及两款基于小华MCU的方案，欢迎来聊。
2022-06-16
小华HC32F460 风筒方案 立功科技
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高速光通信模块设计
COVID-19 让我们不得不面对一个现实，那就是面对面的交流变得不那么常见了。伴随着最新一波包含无数新技术的数字化与信息化浪潮，互联网访问成为我们精准、实时的社交与交流重要手段。
2022-06-16
光通信 模块 设计
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SiC设计干货分享（一）：SiC MOSFET驱动电压的分析及探讨
随着制备技术的进步，在需求的不断拉动下，碳化硅（SiC）器件与模块的成本逐年降低。相关产品的研发与应用也得到了极大的加速。尤其在新能源汽车，可再生能源及储能等应用领域的发展，更是不容小觑。
2022-06-15
SiC MOSFET 驱动电压
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25kW SiC直流快充设计指南(第六部分)：用于电源模块的栅极驱动系统
在本系列文章的第一至第五部分[1-5]中，我们从硬件角度和控制策略上广泛介绍了25 kW电动汽车充电桩的开发。图1代表到目前为止所讨论的系统。
2022-06-15
直流快充 电源模块 栅极驱动
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如何选取SiC MOSFET的Vgs门极电压及其影响
在IGBT时代，门极电压的选择比较统一，无非Vge=+15V/-15V或+15V/-8V或+15V/0V这几档。而在新兴的SiC MOSFET领域，还未有约定俗成的门极电压规范。本文愿就SiC MOSFET的门极电压选择上的困惑，提供些有用的参考。
2022-06-15
SiC MOSFET 门极电压
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性能出众的1200V第四代SiC FET为高压市场提供了优秀的SiC功率解决方案
UnitedSiC（现名Qorvo）扩充了其1200V产品系列，将其突破性的第四代SiC FET技术推广到电压更高的应用中。新UF4C/SC系列中的六款新产品的规格从23毫欧到70毫欧，现以TO247-4L（采用开尔文连接）封装提供，而1200V的53毫欧和70毫欧SiC FET还以TO247-3L封装提供。这些新发布的SiC FET具有不凡的性能，...
2022-06-15
SiC FET 高压市场 解决方案
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