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零漂移霍尔效应电流传感器的分析
德州仪器（TI）推出了新的零漂移霍尔效应电流传感器系列。TMCS1100和TMCS1101传感器可在一段时间内以及在工作温度范围内实现最小漂移和最大精度，同时通过8引脚SOIC封装提供可靠的3 kVrms隔离，这对于工业电机驱动器，太阳能逆变器等高压AC或DC系统尤其重要。这些新设备的准确性消除了对设备进行校...
2021-10-09
零漂移霍尔效应电流传感器
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改进宽带多通道系统，集成强化型DSP帮您搞掂~
过去几十年来，无线系统通道数和带宽一直稳步增长。对数据速率和系统整体性能的要求成为这些现代电信、雷达和仪器仪表系统发展的驱动因素。但与此同时，这些要求也加大了电源封装和系统的复杂度，使功率密度和组件级别的功能变得更为重要。
2021-10-09
运算放大器 转换速率SR
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安森美电机开发套件获中国2021年Top 10电源产品奖
2021年9月15日 —安森美(onsemi，纳斯达克股票代号：ON)宣布其电机开发套件(MDK)获《21IC中国电子网》选为2021年Top 10电源产品奖。这一年度奖项计划是备受行业认同的确定中国10个最具技术进步的创新电源产品的一个基准。
2021-09-15
安森美 电机开发套件 电源产品奖
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为何完全集成式转换环路器件可实现出色的相位噪声性能？
目前对带宽的需求呈爆炸式增长，从而将载波频率推高至几十千兆赫。在这些高频率下，客户可使用更高的带宽，不必担心频谱过度拥挤。但是，随着频率增加，针对这些器件和频率的仪器仪表解决方案就会变得极其复杂。这是因为仪器仪表解决方案需要提升一个数量级的性能，以避免损坏测试中的器件。
2021-09-15
集成式转换环路器件 相位噪声
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贸泽电子联手STMicroelectronics推出全新内容网站聚焦无线解决方案
贸泽电子与全球知名半导体解决方案制造商STMicroelectronics (ST) 联手推出全新内容网站，致力于为无线领域的工程师提供来自ST的新资源、新产品和技术新知。
2021-09-15
贸泽电子 STMicroelectronics 无线
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什么情况下应该从硅片转换到宽带隙技术？
自从宽带隙 (WBG) 器件诞生以来，为功率变换应用带来了一股令人激动的浪潮。但是，在什么情况下从硅片转换到宽带隙技术才有意义呢？迄今为止，屏蔽栅极 MOSFET、超级结器件和 IGBT等基于硅的功率器件已经很好地在业界得到大规模应用。这些器件在品质因数 (FoM) 方面不断改进，加上在拓扑架构和开关...
2021-09-15
硅片 宽带隙技术
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双向功率转换器受益于 CoolSiCTM MOSFET
双向功率转换器是可再生能源和电动汽车充电器中的关键部件。碳化硅开关能够实现先前技术无法达到的效率水平。
2021-09-15
双向功率转换器 MOSFET
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- 不同拓扑结构中使用氮化镓技术时面临的挑战有何差异？
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