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IPOSIM的今昔——从器件级的计算到基于系统的仿真
选择合适的功率半导体器件是功率电路设计的核心，需要通过计算获得器件的损耗、系统温度，有时还需要估算器件的寿命。这是个系统工程，一般需要专业团队和多种仿真软件实现。这对于大多数的设计团队的项目很难实现，为此英飞凌25年前就提供的基于器件的损耗和温度计算工具IPOSIM，这一平台发展到今...
2022-06-22
IPOSIM 英飞凌 电路设计
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IPD芯片出货量超10亿颗，芯和半导体亮相IMS2022
国内EDA、IPD行业的领军企业芯和半导体于正在美国丹佛举行的2022年IMS展会上宣布，其IPD芯片累计出货量已首超10亿颗。
2022-06-21
IPD芯片 出货量 芯和半导体
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Arm SystemReady创下新里程 为数据中心夯实创新根基
Arm® 近日发布自 Arm SystemReadyTM 推出 18 个月以来，获得产业广泛合作伙伴的支持，并已颁布超过 50 张认证，其中Microsoft® Azure® 基于Arm架构的 Ampere® Altra® 处理器的服务器获得 SystemReady SR 认证，成为首个获得认证的云服务提供商服务器，其搭载Arm架构的Ampere Altra 处理器的Azure虚...
2022-06-21
Arm SystemReady 数据中心
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DC-DC升压稳压器外围元器件的选择与优化
在便携和可穿戴设备等电池供电的低电压应用中，常有一些功能需要较高的电压才能工作，例如射频收发器、精密模拟电路、白光LED背光驱动、雪崩光电二极管(APD)的偏置电路等。这就需要采用DC-DC升压转换器来向上转换到所需的电压，让设备既节能又高效的工作。
2022-06-21
DC-DC 升压稳压器 外围元器件
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MEMS压力传感器解决人机界面新痛点
2021 年 5 月，Qorvo 宣布了收购 NextInput 公司，作为其传感器融合产品线的首次收购，Qorvo 对于 NextInput 在改善人机交互（HMI）市场的创新给予了厚望。同时，也意味着 Qorvo 除了在 RF MEMS 之外，也拥有了 MEMS 压力传感器的技术积累。
2022-06-21
MEMS 压力传感器 人机界面
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变频器用IGBT模块的故障分析及静态测量
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速...
2022-06-21
变频器 IGBT模块 故障分析
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具备出色稳定性的CoolSiC MOSFET M1H
过去几年，实际应用条件下的阈值电压漂移（VGS(th)）一直是SiC的关注重点。英飞凌率先发现了动态工作引起的长期应力下VGS(th)的漂移现象，并提出了工作栅极电压区域的建议，旨在最大限度地减少使用寿命内的漂移。[1]。
2022-06-21
稳定性 CoolSiC MOSFET
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