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详解时域瞬态分析技术
当打开或关闭 LED 时，随着光线变亮或变暗有一个缓慢的过渡。这种类型的瞬态行为非常简单，但这是一个电子系统改变状态时的基本反应。使用瞬态分析可以充分理解时域中的信号转换，以及它们与重要系统参数的关系。
2022-01-26
时域瞬态
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贸泽电子授权分销超49000种Amphenol产品
2022年1月26日 – 专注于引入新品的全球半导体和电子元器件授权分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 分销全球知名互联系统供应商Amphenol Corporation的新款产品和解决方案。贸泽备货Amphenol及其41个部门的全系列产品，总数超过49600种。
2022-01-26
贸泽电子 授权分销 Amphenol
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SRII推出两款ALD新品，满足泛半导体应用多功能性和灵活性的需求
原子层沉积（ALD）工艺被认为是逻辑和存储半导体器件微缩化的重要推动力。过去20年，ALD工艺及设备已经广泛应用于逻辑和存储器件的大批量制造，不断推动诸如动态随机存取存储器（DRAM）、先进的鳍式场效应晶体管（FinFET）以及栅极环绕晶体管等器件性能的改进与创新。随着摩尔定律放缓，ALD工艺逐渐...
2022-01-26
SRII ALD 泛半导体
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工业和汽车行业如何从 5G 中受益
5G 不仅仅是局限于对移动通讯技术的改进，更高的下载速度可能会增强智能手机的浏览体验，但 5G 的真正影响巨大的应用更有可能尚未出现。本文中我们讨论5G如何会影响工业和汽车行业，以及您如何把 5G 构建到您的下一个设计项目。
2022-01-26
工业行业 汽车行业 5G
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PMDE封装的实机评估
本文将使用车载LED驱动器BD81A44EFV-M及其评估板，对PMDU和PMDE的发热和效率进行比较评估，并以车载LED驱动器BD81A44EFV-M及其评估板确认其结果。
2022-01-26
PMDE封装 实机评估
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大功率二极管晶闸管知识连载——热特性
功率二极管晶闸管广泛应用于AC/DC变换器，UPS，交流静态开关，SVC和电解氢等场合，但大多数工程师对这类双极性器件的了解不及对IGBT的了解，为此我们组织了6篇连载，包括正向特性，动态特性，控制特性，保护以及损耗与热特性。内容摘来自英飞凌《双极性半导体技术信息》。
2022-01-26
二极管 晶闸管 热特性
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IGBT和MOSFET该用谁？你选对了吗？
半导体功率器件主要包括功率二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT等。其中MOSFET和IGBT属于电压控制型开关器件，具有开关速度快、易于驱动、损耗低等优势。IGBT全称是绝缘栅极型功率管，是由双极型三极管（BJT）和MOSFET组成的复合全控型电压驱动式半导体功率器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和BJ...
2022-01-26
IGBT MOSFET
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