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VJ0805/1206/1210/1808/1812：Vishay的高可靠性MLCC

Vishay日前宣布，其 HVArc Guard表面贴装 X7R 多层陶瓷片式电容器 (MLCC) 现可提供可选聚合体端子。该器件专为耐受较高机械应用而设计，旨在减少机械破碎相关的电容器故障。

2008-09-19

VJ0805 VJ1206 VJ1210 VJ1808 VJ1812 MLCC 多层陶瓷片式电容器

微特电机变生产大国为技术强国

近几年，我国微特电机行业有了长足的发展，尤其在长江三角洲、珠江三角洲、环渤海三大地区已经形成我国微特电机的重要生产基地和出口基地。我国已经成为世界微特电机的生产大国。

2008-09-18

微特电机

VPR221Z/SZ ：Vishay 新型超高精度Z箔电阻

Vishay宣布推出新型 VPR221Z超高精度 Z 箔电阻。此新器件可提供 ±0.05ppm/°C及 ±0.2 ppm/°C的工业级别绝对 TCR、在 +25°C 时最多 8W 的额定功率、±4ppm/W （典型值）的优越功率系数（“自身散热产生的 ∆R”）及 ±0.01% 的容差。

2008-09-17

电阻 VPR221Z VPR221SZ

我国遭美"337调查" LED企业上升至10家

2008年8月30日，我国又有6家LED企业即半导体照明企业，被控涉嫌专利侵权而将面临美国国际贸易委员会(U.S.ITC)的“337调查”。加上此前已有6家中国大陆LED企业被起诉且其中4家被列入ITC“337调查”名单，今年以来，我国已有12家LED企业遭遇海外知识产权纠纷(不包括我国台湾地区企业)。

2008-09-16

知识产权 LED Rothschild 337调查

中能打破多晶硅技术垄断成中国硅料第一股

纽约证券交易所前不久突然发布了一则令全球光伏行业为之震动的消息，总部位于香港的太阳能硅芯片供应商协鑫硅业(GCL)已向美国证券交易委员会(SEC)递交了IPO 申请，而这家公司的业务主体正是江苏中能。

2008-09-11

多晶硅

南方芯源在西安成立研发中心西安芯派

2008年8月18日，Samwin公司投资发起设立的西安芯派科技有限公司正式成立，主要从事MOSFET全新沟通工艺，电源管理IC及射频技术应用三个方面的产品研发。该中心的成立将进一步提高Samwin产品的技术先进度。

2008-08-20

西安芯派 Samwin MOSFET 南方芯源

赛维LDK与印度光伏老大签5年供应合同

刚刚成为全球最大硅片生产商的赛维LDK太阳能有限公司(下称“赛维LDK”)昨日宣布，公司近日与印度的XL Telecom & Energy公司签订了为期5年的太阳能多晶硅片供应合同。后者是印度最大的太阳能企业。

2008-08-20

多晶硅太阳能

VCS1625Z ：Vishay改进的S系列高精度箔电阻

Vishay宣布推出改进的 S 系列高精度 Bulk Metal® 箔 (BMF) 电阻，这些电阻在 -55°C～+125°C（+25°C 参考点）时具有 ±2 ppm/°C 的军用级典型 TCR、±0.005% 的容差，以及超过 10,000 小时的 ±0.005% 负载寿命稳定性。

2008-08-15

VCS1625Z 箔电阻军事航空

VCS1625Z ：Vishay改进的S系列高精度箔电阻

2008-08-15

VCS1625Z 箔电阻军事航空

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