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TVS将变成ESD保护二极管的终极替代
台湾晶炎认为，随着今天IC制造工艺下探28纳米节点，ESD保护二极管开始遇到三个致命的发展瓶颈：升级换代时间长、反应时间太长和钳位电压做不低，未来TVS取代ESD保护二极管将变成主流发展趋势。
2013-03-06
TVS ESD 二极管
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【电源设计小贴士32】：注意SEPIC耦合电感回路电流1
在这篇【电源设计小贴士】中，我们将确定SEPIC拓扑中耦合电感的一些漏电感要求。在不要求主级电路和次级电路之间电气隔离且输入电压高于或者低于输出电压时，SEPIC是一种非常有用的拓扑。
2013-03-05
电源 耦合电感 回路电流
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【电源设计小贴士31】：同步降压MOSFET电阻比的正确选择
在这篇【电源设计小贴士】中，我们将研究在同步降压功率级中如何对传导功耗进行折中处理，而其与占空比和FET电阻比有关。进行这种折中处理可得到一个用于FET选择的非常有用的起始点。
2013-03-04
电源 MOSFET
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Bourns新型号采用霍尔效应技术，有助提高可靠性和寿命
Bourns近日扩大两个 non-contacting rotary position sensors非接触式位置传感器新型号的生产线。AMS22U 和AMM20B采用霍尔效应的技术，有助于提高在恶劣环境中运行的可靠性和寿命。
2013-03-01
Bourns 霍尔效应 传感器
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【电源设计小贴士30】：低压降压IC实现简单经济的偏置电源
在本次【电源设计小贴士】中，我们将研究一款可将高AC输入电压转换为可用于电子能量计等应用的低DC电压简单电路。在这种特殊的应用中，无需将输出电压隔离于输入电压。
2013-03-01
电源 偏置电源
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【电源设计小贴士29】：估算热插拔MOSFET的瞬态温升2
本文我们将最终对一种估算热插拔MOSFET温升的简单方法进行研究。在【电源设计小贴士28】中，我们讨论了如何设计温升问题的电路类似方法。我们把热源建模成了电流源。根据系统组件的物理属性，计算得到热阻和热容。遍及整个网络的各种电压代表各个温度。
2013-02-28
电源 热插拔 瞬态温升
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【电源设计小贴士28】：估算热插拔MOSFET的瞬态温升1
在本电源设计小贴士以及下次的小贴士中，我们将研究一种估算热插拔 MOSFET 温升的简单方法。热插拔电路用于将电容输入设备插入通电的电压总线时限制浪涌电流。这样做的目的是防止总线电压下降以及连接设备运行中断。
2013-02-27
电源 热插拔 瞬态温升
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【电源设计小贴士26】：高频导体的电流分布
本次【电源设计小贴士】中，我们将研究自由空间及缠绕结构中导体的有效电阻。文中图1显示了第一个例子。其为自由空间中单条导线的横截面，其携带的是高频电流。
2013-02-26
电源 高频 电流分布
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【电源设计小贴士25】：改善负载瞬态响应2
本文是《电源设计小贴士23》的后续文章。它着重介绍如何使用TL431分路稳压器关闭隔离电源的反馈环路。本文章讨论了一种扩展电源控制环路带宽以改善瞬态负载及线路响应的方法。
2013-02-25
电源 瞬态响应
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