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能源电力

门极驱动正压对功率半导体性能的影响

无论是MOSFET还是IGBT，都是受门极控制的器件。在相同电流的条件下，一般门极电压用得越高，导通损耗越小。因为门极电压越高意味着沟道反型层强度越强，由门极电压而产生的沟道阻抗越小，流过相同电流的压降就越低。不过器件导通损耗除了受这个门极沟道影响外，还和芯片的厚度有很大的关系，一般越...

2024-01-29

门极驱动功率半导体

对于采用双向自动检测IC TXB0104在电平转换端口传输中组态的分析

TXB0104是应用在AM3352（Sitara MCU/MPU等）和EMMC (嵌入式多媒体存储卡)芯片之间通信的双向自动检测电平转换芯片。当系统的软件资源配置不足，需要电平转换芯片自己识别信号传输方向的时候，需要注意外部硬件设计，不然可能会出现挂载时好时坏的失效情况。

2024-01-18

双向自动检测IC TXB0104 端口传输

电池储能系统需要克服的三大设计挑战

太阳能和风能为电网带来了可再生能源，但供需不平衡的问题成为影响此类能源利用率的主要限制因素。虽然太阳能在中午很充足，但此时的用电需求不够高，所以消费者的用电成本仍然居高不下。

2024-01-18

电池储能系统

中国（南京）国际氢能及燃料电池产业大会

为贯彻落实《氢能产业发展中长期规划（2021-2035 年）》要求，加快推进我国氢能源及燃料电池产业链上下游合作、成果转化和商业应用，促进氢能产业健康有序发展，我国燃料电池汽车产业进入提速关键期，“氢能高速”号角正式吹响，

2024-01-15

氢能燃料电池

低功耗 GaN 在常见交流/直流电源拓扑中的优势

消费者希望日常携带的各种电子设备能够配备便携、快速和高效的充电器。随着大多数电子产品转向 USB Type-C® 充电器，越来越多的用户希望可以使用紧凑型电源适配器为所有设备充电。

2024-01-12

GaN 交流电源直流电源拓扑

了解嵌入式驱动器中的电源模块

将逆变器从控制柜转移到电机导致了新的逆变器设计要求。其中要求的是热管理。标准柜式逆变器在相当友好的环境中运行，没有特殊的 IP 保护要求，与电机不同，电机安装在生产线中靠近正在加工的货物的位置。相比之下，嵌入式驱动器使用内部逆变器，这要求电机和逆变器都防水、防尘，从而影响系统的热...

2024-01-09

嵌入式驱动器电源模块

超高压MOS在变频器上的应用

典型的AC380V变频器应用框图，主要包括输入AC380V三相整流、三相逆变IGBT功率驱动、辅助电源等部分；其中辅助电源主要经过DC高压降压后为IGBT驱动IC、主控mcu、通讯模块芯片等供电。

2024-01-02

MOS 变频器

双运放电流源的基本操作

合适的设备概念应允许一定的设计自由度，以便适应各种任务概况的需求，而无需对处理和布局进行重大改变。然而，关键性能指标仍然是所选器件概念的低面积比电阻，与其他列出的参数相结合。图 1 列出了一些被认为必不可少的参数，还可以添加更多参数。

2023-12-29

双运放电流源

关于电阻温度系数、测量和结构影响这篇文章说透了

电阻温度系数（TCR 或 RTC）是上述缺陷的热能因素的特征。假设晶粒结构没有因极端脉冲/过载事件导致的高温而改变，则当温度恢复到参考温度时，这种电阻变化带来的影响是可逆的。对于 Power Metal Strip® 和 Power Metal Plate™ 产品，这将是一个导致电阻合金超过 350℃ 的温度。

2023-12-28

电阻温度系数测量结构

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