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宽禁带半导体仿真模型验证 – 第三部分

发布时间:2021-08-02 来源:James Victory 责任编辑:wenwei

【导读】今天,我们将完成我们关于宽禁带生态系统的第三部分系列文章。在第一部分,我们聚焦物理可扩展的模型,第二部分,我们重点介绍我们的碳化硅功率MOSFET模型的某些方面。在这博客系列的第三部分,我们将聚焦模型验证。
 
宽禁带半导体仿真模型验证 – 第三部分
图1
 
我们首先在上面的图1中显示输出电流-电压特性。该模型准确地预测了整个偏置范围,包括高门极处的漂移区和漏极偏差。右边图中精确的传导仿真突出了模型的连续性,这对于强固的收敛性能非常重要。除了线性地发现隐藏的不准确和不连续之外,我们还常以对数标度观察。
 
宽禁带半导体仿真模型验证 – 第三部分
图2
 
在图2中,我们显示了在宽温度范围内电流电压、RDSon和阈值电压的结果。SiC MOSFET器件由于其稳定的温度性能而非常有吸引力。宽温度范围的高精度建模使设计师能够充分利用这一品质。
 
宽禁带半导体仿真模型验证 – 第三部分
图3
 
在本系列博客的第一部分中,我们介绍了复杂器件电容的物理模型。结果如图3所示。在左边,CRSS(或CGD)仿真跟踪超过两个以上数量级数据的多重变化,只在一个对数标度上可见。
 
宽禁带半导体仿真模型验证 – 第三部分
图4
 
通过精确建模的固有电容和器件布板寄生值,就可以得出开关结果,如图4所示,不需要额外的模型精调。这保真度水平使应用设计人员有信心精确仿真器件电路相互影响,如dV/dt、dI/dt、开关损耗和电磁干扰(EMI)。还可研究和优化门极驱动器和电源回路的相互作用。
 
满足客户多样化的仿真平台需求对我们很重要。因此,SPICE不可知论的方法至关重要。不可知论法意思是在行业标准仿真软件中只使用最小公分母结构,避免依赖仿真器的专有方案。
 
安森美半导体提供一系列先进的宽禁带器件和仿真环境。这完整的阵容构成一个生态系统,使我们的客户能够充分实现新的、令人兴奋的宽禁带应用和系统的潜力。
 
 
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