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电路保护

如何仿真转换器的数字输入／输出

对于SAR-ADC的仿真比较复杂。目前来看，还没有准确模拟整个器件的完整转换器模型。现有资源是一个仿真模拟输入引脚稳定性的模拟SPICE文件。有了它，用户就有了一款强大工具，使用户能够解决其中一个最关键、最棘手的转换器问题。

2022-02-08

仿真转换器数字输入／输出

针对SiC串扰抑制方法的测试报告

近年来，以SiCMOSFET 为代表的宽禁带半导体器件因其具有高开关频率、高开关速度、高热导率等优点，已成为高频、高温、高功率密度电力电子变换器的理想选择。然而随着SiC MOSFET开关速度加快，桥式电路受寄生参数影响加剧，串扰现象更加严重。由于SiC MOSFET 正向阈值电压与负向安全电压较小，串扰问...

2022-02-08

SiCMOSFET 串扰抑制

Bourns宣布IsoMOV™ 保护器荣获 2021 年度电子产品无源产品奖

Bourns宣布，其 IsoMOV™ 保护器赢得了2021 年度电子产品无源产品奖。Bourns® IsoMOV ™ 混合保护组件被选为 MOV 设备设计的重大突破。完全集成的 GDT 和 MOV 混合设计提供了一种创新的保护解决方案，可解决 MOV 退化问题，同时显着提高浪涌性能、使用寿命和设备可靠性。

2022-02-07

Bourns IsoMOV™ 保护器无源产品奖

贸泽电子新品推荐：2021全年推出近70000个新物料

致力于快速引入新产品与新技术的业界知名分销商贸泽电子，首要任务是提供来自1200多家知名厂商的新产品与技术，帮助客户设计出先进产品，并加快产品上市速度。贸泽旨在为客户提供全面认证的原厂产品，并提供全方位的制造商可追溯性。

2022-01-27

贸泽电子新物料

在当今高压半导体器件上执行击穿电压和漏流测量

在经过多年研究和设计之后，碳化硅(SiC)和氮化镓 (GaN)功率器件正变得越来越实用。这些器件尽管性能很高，但它们也带来了许多挑战，包括栅极驱动要求。SiC要求的栅极电压(Vgs)要高得多，在负偏置电压时会关闭。GaN的阈值电压(Vth)则低得多，要求严格的栅极驱动设计。宽带隙(WBG)器件由于物理特点，...

2022-01-27

高压半导体器件击穿电压漏流测量

担心栅极驱动器的绝缘能力？采用'BIER'测试吧

最新的宽带间隙（WBG）半导体正走向最理想的状态，也就是具有高电压和低损耗的超快速切换，而现代的MOSFET和沟槽IGBT也可以有高dV/dt和di/dt。然而，下桥臂电路中的快速切换会将瞬态电压耦合到栅极驱动电路，从而造成混乱或损坏，同时上桥臂栅极驱动器的信号和电源隔离还会受到应力影响。本文将探讨...

2022-01-27

栅极驱动器绝缘能力 BIER测试

工业和汽车行业如何从 5G 中受益

5G 不仅仅是局限于对移动通讯技术的改进，更高的下载速度可能会增强智能手机的浏览体验，但 5G 的真正影响巨大的应用更有可能尚未出现。本文中我们讨论5G如何会影响工业和汽车行业，以及您如何把 5G 构建到您的下一个设计项目。

2022-01-26

工业行业汽车行业 5G

主控芯片CPU/FPGA存储及单粒子翻转科普

每一次神舟载人飞船和SpaceX卫星的发射升空，都能吸引众多人关注。对于这些神秘的航天飞信器，你知道它们的信息都是怎么处理的吗？航天飞行器信息的处理依靠CPU/FPGA，而指令的执行则凭借存储器。目前市场上大多数售卖主芯片的厂商都是靠存储器起家的。

2022-01-25

主控芯片 CPU/FPGA存储单粒子

谈峰值电流控制模式下的次谐波振荡

相信各位工程师朋友们都遇到过电源不稳定的现象，这种现象有可能是原理图或者PCB设计不当导致的，也有可能是环路补偿不够的因素；而由于次谐波振荡导致的电源不稳定现象，大家了解多少？

2022-01-25

峰值电流次谐波振荡

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