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4个MOS管驱动的全桥电路原理
电路首先，单片机能够输出直流信号，但是它的驱动才能也是有限的，所以单片机普通做驱动信号，驱动大的功率管如MOS管，来产生大电流从而驱动电机，且占空比大小能够经过驱动芯片控制加在电机上的均匀电压到达转速调理的目的。
2021-11-24
MOS管驱动 全桥电路
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小信号放大电路故障的检测
模拟信号是指用连续变化的物理量表示的信息，其信号的幅度，或频率，或相位均随时间作连续变化，如广播电视中的声音信号，或图像信号等。处理模拟信号的电子电路称为模拟电路。模拟电路主要包括放大电路、振荡电路和电源电路等。
2021-11-19
小信号 放大电路
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怎样正确选择同步降压 MOSFET 电阻比？
反激式转换器在连续导通模式 (CCM) 和非连续导通模式 (DCM)下都可以工作。但对许多低功耗和低电流应用而言，DCM反激式转换器更加紧凑而且成本更低。本文将详细介绍此类转换器的设计步骤
2021-11-19
同步降压 MOSFET 电阻比
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如何选择电源系统开关控制器的 MOSFET？
DC/DC 开关控制器的 MOSFET 选择是一个复杂的过程。仅仅考虑 MOSFET 的额定电压和电流并不足以选择到合适的 MOSFET。要想让 MOSFET 维持在规定范围以内，必须在低栅极电荷和低导通电阻之间取得平衡。在多负载电源系统中，这种情况会变得更加复杂。
2021-11-19
电源系统 开关控制器 MOSFET
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如何在48V系统中轻松应用GaN FET？
GaN FET可以应用在48V电源系统中，但由于缺乏配合GaN FET工作的合适控制器，工程师们常利用DSP数字解决方案来实现其高频和高效率设计。然而，DSP解决方案因为需要额外的IC而增加了复杂性和难度。本文介绍了一种兼容GaN FET的模拟控制器，它只需很少的器件，就可以让设计人员像使用硅FET一样简单地设...
2021-11-17
48V系统 GaN FET
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保护器件过电应力失效机理和失效现象浅析
半导体元器件在整机应用端的失效主要为各种过应力导致的失效，器件的过应力主要包括工作环境的缓变或者突变引起的过应力，当半导体元器件的工作环境发生变化并产生超出器件最大可承受的应力时，元器件发生失效。应力的种类繁多，如表1，其中过电应力导致的失效相对其它应力更为常见。
2021-11-16
保护器件 过电应力失效
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USB Type-C接口EMC设计及过压防护方案
依托巨大的市场发展，智能手机在原有的通讯功能基础上，正体现出其强大的功能扩展性。同时其高功耗也对智能手机的续航能力提出越来越高的要求。2014 年，Type-C 伴随着最新的USB3.1 标准横空出世，这类全新的接口形式，凭借其便捷的正反面拔插，大功率的供电，快速的传输速率等功能得到广泛认可。但...
2021-11-15
USB Type-C EMC 过压防护
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能否让低压放大器自举来获得高压缓冲器？
当然是可以的！您可以采用具有出色输入特性的运算放大器，并进一步提高其性能，使其电压范围、增益精度、压摆率和失真性能均优于原来的运算放大器。
2021-11-10
低压放大器 高压缓冲器
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环路供电变送器设计的三种解决方案
环路供电变送器已经从纯粹的模拟信号调理器发展为高度灵活的智能变送器，但所选择的设计方法仍取决于系统的性能、功能和成本要求。
2021-11-10
环路供电变送器
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