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低边开关关断时的栅极 – 源极间电压的动作
下面是表示LS MOSFET关断时的电流动作的等效电路和波形示意图。与导通时的做法一样，为各事件进行了(IV)、(V)、(VI)编号。与导通时相比，只是VDS和ID变化的顺序发生了改变，其他基本动作是一样的。
2022-02-14
低边开关 源极间电压
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一文弄懂IGBT驱动
要了解什么是IGBT驱动，首先你需要了解什么是IGBT。我们都知道，电机驱动是IGBT的主要应用领域之一。
2022-02-11
IGBT驱动
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【收藏】运算放大器的低功耗设计攻略
首先，我们会讨论具有低静态电流 (IQ) 的放大器以及增加反馈网络电阻值与功耗的关系。
2022-02-10
运算放大器 低静态电流
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LLC转换器设计稳健型同步整流解决方案
为了理解这种技术，让我们回顾一些为LLC转换器设计稳健型同步整流解决方案时遇到的挑战。在其最简单的层面上，同步整流需要金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）仿真二极管的行为。简言之，当电流拟从正极流向负极时，MOSFET导通。一旦电流开始从负极流向正极，则MOSFET关断。
2022-02-09
LLC转换器 稳健型同步整流
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LDO如何更加功效
随着物联网 （IoT） 不断占领于我们的住宅和办公场所，我们会发现越来越多的电器和系统集成了电子元器件，而且我们能够在世界上的任何一个角落访问这些电器和系统。不过，由于有如此之多的设备被连接到我们的住宅和办公室，我们消耗了难以计数的待机电能。
2022-02-08
LDO 物联网
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可编程输入倍频法如何减少整数边界杂散
您曾设计过具有分数频率合成器的锁相环（PLL）吗？这种合成器在整数通道上看起来很棒，但在只稍微偏离这些整数通道的频率点上杂散就会变得高很多，是吧？如果是这样的话，您就已经遇到过整数边界杂散现象了 —— 该现象发生在载波的偏移距离等于到最近整数通道的距离时。
2022-02-08
可编程输入倍频法 整数边界杂散
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如何仿真转换器的数字输入／输出
对于SAR-ADC的仿真比较复杂。目前来看，还没有准确模拟整个器件的完整转换器模型。现有资源是一个仿真模拟输入引脚稳定性的模拟SPICE文件。有了它，用户就有了一款强大工具，使用户能够解决其中一个最关键、最棘手的转换器问题。
2022-02-08
仿真转换器 数字输入／输出
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针对SiC串扰抑制方法的测试报告
近年来，以SiCMOSFET 为代表的宽禁带半导体器件因其具有高开关频率、高开关速度、高热导率等优点，已成为高频、高温、高功率密度电力电子变换器的理想选择。然而随着SiC MOSFET开关速度加快，桥式电路受寄生参数影响加剧，串扰现象更加严重。由于SiC MOSFET 正向阈值电压与负向安全电压较小，串扰问...
2022-02-08
SiCMOSFET 串扰抑制
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Bourns宣布IsoMOV™ 保护器荣获 2021 年度电子产品无源产品奖
Bourns宣布，其 IsoMOV™ 保护器赢得了2021 年度电子产品无源产品奖。Bourns® IsoMOV ™ 混合保护组件被选为 MOV 设备设计的重大突破。完全集成的 GDT 和 MOV 混合设计提供了一种创新的保护解决方案，可解决 MOV 退化问题，同时显着提高浪涌性能、使用寿命和设备可靠性。
2022-02-07
Bourns IsoMOV™ 保护器 无源产品奖
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