电路保护-技术中心-电子元件技术网

电路保护

SiC MOSFET的栅极驱动电路和Turn-on/Turn-off动作

LS（低边）侧SiC MOSFET Turn-on和Turn-off时的VDS和ID的变化方式不同。在探讨SiC MOSFET的这种变化对Gate-Source电压（VGS）带来的影响时,需要在包括SiC MOSFET的栅极驱动电路的寄生分量在内的等效电路基础上进行考量。

2022-01-17

SiC MOSFET 栅极驱动电路

SiC MOSFET的桥式结构

在探讨“SiC MOSFET：桥式结构中Gate-Source电压的动作”时，本文先对SiC MOSFET的桥式结构和工作进行介绍，这也是这个主题的前提。

2022-01-17

SiC MOSFET 桥式结构

聚酰亚胺薄膜应用于数字隔离器

与传统的光耦合器相比，数字隔离器在高速、低功耗、高可靠性、小尺寸、高集成度和易用性方面更具优势。数以十亿计的使用微变压器的数字隔离器已广泛用于许多市场，包括汽车、工业自动化、医疗和能源。这些数字隔离器之所以具有高压性能，主要原因在于：在堆栈式绕组变压器的顶部螺旋绕组和底部螺旋...

2022-01-17

聚酰亚胺薄膜数字隔离器

ADI公司陈宝兴博士当选IEEE会士

中国，北京—ADI公司技术院士(Fellow)陈宝兴博士凭借其在集成信号-功率隔离和集成磁性元件领域的突破性贡献，当选为2022年度IEEE会士(IEEE Fellow)。IEEE会士是最高等级的IEEE会员，业界将其视为一项荣誉称号，被认为是职业生涯中的重要成就。每一年的当选总人数不得超过总参与投票人数的千分之一。

2022-01-14

ADI 陈宝兴博士 IEEE

使用集成双向电流检测放大器实现有效的电流监控

越来越多的应用需要快速准确地进行电流监控，包括自动驾驶汽车、工厂自动化和机器人技术、通信、服务器电源管理、D 类音频放大器和医疗系统。在许多这样的应用中，都要求进行双向电流检测，而且需要以很小的成本有效地实现这一a目的。

2022-01-14

双向电流检测放大器电流监控

如何实现高转矩伺服电机的应用设计

有时用市场上现成的高转矩伺服电机比建造更方便。设计这种伺服电机用于无线电控制应用，如为了得到中心位置希望脉冲为1.5ms宽。除去已有电路并用一个简单的线性电压控制替代是可能的；然而，选择“不破坏它”而用一个外部脉冲产生器替代。此结果是比预期的更错综复杂。

2022-01-10

高转矩伺服电机

高深宽比刻蚀和纳米级图形化推进存储器的路线图

随着市场需求推动存储器技术向更高密度、更优性能、新材料、3D堆栈、高深宽比 (HAR) 刻蚀和极紫外 (EUV) 光刻发展，泛林集团正在探索未来三到五年生产可能面临的挑战，以经济的成本为晶圆厂提供解决方案。

2022-01-10

高深宽比刻蚀纳米级图形存储器

Digi-Key 与 CalcuQuote 合作，提供报价 API 集成支持，为客户提供一种更简便的途径来实现 30 天定价保证

全球供应品类极丰富、发货极快速的现货电子元器件分销商Digi-Key Electronics与 CalcuQuote 达成合作，实现了Digi-Key 报价 API与该公司技术的集成，为客户提供了一个更简便的入口，以很少的开发投入来连接 Digi-Key 领先的 API。

2022-01-07

Digi-Key CalcuQuote API 集成

二极管在跌落测试后发生短路，故障原因是？

电源中一颗特定的二极管在经过装置的机械跌落测试(drop test)后发生了短路故障，这种情况一而再地反复发生...机械冲击似乎是引发故障的原因...

2022-01-07

二极管跌落测试

首页上一页 84 85 86 87 88 89 90 91 下一页尾页

特别推荐

技术文章更多>>

技术白皮书下载更多>>

热门搜索

SiC MOSFET的栅极驱动电路和Turn-on/Turn-off动作

SiC MOSFET的桥式结构

聚酰亚胺薄膜应用于数字隔离器

ADI公司陈宝兴博士当选IEEE会士

使用集成双向电流检测放大器实现有效的电流监控

如何实现高转矩伺服电机的应用设计

高深宽比刻蚀和纳米级图形化推进存储器的路线图

Digi-Key 与 CalcuQuote 合作，提供报价 API 集成支持，为客户提供一种更简便的途径来实现 30 天定价保证

二极管在跌落测试后发生短路，故障原因是？

友情链接(QQ：317243736)