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25kW SiC直流快充设计指南(第六部分)：用于电源模块的栅极驱动系统

在本系列文章的第一至第五部分[1-5]中，我们从硬件角度和控制策略上广泛介绍了25 kW电动汽车充电桩的开发。图1代表到目前为止所讨论的系统。

2022-06-15

直流快充电源模块栅极驱动

性能出众的1200V第四代SiC FET为高压市场提供了优秀的SiC功率解决方案

UnitedSiC（现名Qorvo）扩充了其1200V产品系列，将其突破性的第四代SiC FET技术推广到电压更高的应用中。新UF4C/SC系列中的六款新产品的规格从23毫欧到70毫欧，现以TO247-4L（采用开尔文连接）封装提供，而1200V的53毫欧和70毫欧SiC FET还以TO247-3L封装提供。这些新发布的SiC FET具有不凡的性能，...

2022-06-15

SiC FET 高压市场解决方案

电解电容

在博文基于光耦的LED振荡电路[1] 介绍了一款基于光耦的多谐振荡电路，对于光耦前向耦合电流增益的特性进行了讨论。博文分别被公众号 TSINGHUAZHUOQING[2] 与电子工程专辑[3] 转载。

2022-06-14

电解电容光耦振荡电路

电解电容

2022-06-14

电解电容光耦振荡电路

电动汽车对提高车辆效率的需求正在改变供应链

几年来，xEV的普及率一直很高。预计2021至2027年间，全球xEV市场的复合年增长率将达到21%，所有细分市场的复合年增长率都将加快。随着BEV采用率的快速增长，混合动力技术也将大幅增长。事实上，不同技术的普及率取决于地区。

2022-06-13

电动汽车车辆效率供应链

保护IGBT和MOSFET免受ESD损坏

功率MOSFET用户都非常熟悉“静电敏感器件”警告标志。然而，越熟悉越容易大意。从统计的角度来看，单个MOSFET不太可能被静电放电（ESD)损坏。然而，在处理成千上万个MOSFET时，极小的故障都可能带来极大的影响。

2022-06-13

IGBT MOSFET ESD

在自动驾驶汽车中实现5G和DSRC V2X

很显然，车辆通信是实现更高的自动驾驶水平的重要推动因素。但是，长期以来，汽车厂商一直在研究分析所需的无线接入技术应基于蜂窝技术（也称为C-V2X）还是基于直接接入技术（称为DSRC）。在本文中，我们将展示未来的自动驾驶场景需要协调或组合使用这两种技术。先进的多无线标准设备需要集成分别采...

2022-06-10

自动驾驶汽车 5G DSRC V2X

安霸CV2FS/CV22FS获得ASIL C芯片功能安全认证，超越市场同类芯片水平

2022年6月7日，美国加利福尼亚州圣克拉拉市，Ambarella (下称“安霸”，纳斯达克股票代码：AMBA，专注AI视觉感知的半导体公司) 于今天宣布，其汽车AI视觉感知芯片（SoC）CV2FS/CV22FS成功通过exida的ASIL C芯片功能安全认证，获得证书，并且其内置的功能安全岛为ASIL D级别。CV2FS/CV22FS这一功能安全...

2022-06-08

安霸 CV2FS/CV22FS 芯片

异步DC-DC升压转换器（包含续流二极管）还能实现低辐射吗？

本文尝试展示带分立式续流二极管的异步转换器如何还能实现低辐射。其中将会介绍不同类型的转换器、布局和封装，以及为何受控开关非常有效，还会详细介绍在CISPR 25 5类辐射测试中，低EMI评估电路的通过测试结果。

2022-06-08

DC-DC升压转换器低辐射 ADI

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