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IR 推出PQFN封装和铜夹技术的中压功率MOSFET
新的功率MOSFET采用了IR最新的硅技术來实现基准性能，适用于网络和电信设备的DC-DC转换器、AC-DC开关电源（SMPS）及电机驱动开关等开关应用。由于新器件满足40V到250V的宽泛电压，所以可提供不同水平的导通电阻（RDS(on)）和栅极电荷（Qg），为客户的特定应用提供优化的性能和更低成本。
2010-07-08
IR PQFN封装 铜夹技术 MOSFET
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VISHAY推出0603尺寸的薄膜平坦片状保险丝
TFU 0603薄膜扁平片状保险丝采用1.55 mm x 0.85 mm x 0.45 mm片状尺寸，额定电压为32V，提供高达4A的电流以及35A的断流容量。该保险丝为移动消费电子产品中的dc/dc转换器，电池充电器和低压电源提供二级过流保护，器件符合关于有害物质的法律条令的CEFIC-EECA-EICTA清单。器件数量超过500万的价格为...
2010-07-08
VISHAY 薄膜平坦片状 保险丝
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多晶硅价格重拾升势 生产商担忧成本压力增加
日前，我国部分省市取消针对多晶硅项目的优惠电价，导致多晶硅生产成本提升，加上全球光伏产品需求超预期，国内多晶硅尤其是高纯多晶硅的供应又呈现供不应求的苗头。对此，不少晶硅电池生产商担忧多晶硅价格的提升会带来成本压力的增加。
2010-07-08
多晶硅 高耗能 光伏
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2010年纯晶圆代工产业的营业收入预计增长
由于消费产品需求回升，iSuppli公司把2010年纯晶圆代工厂商的营业收入增长率预测上调了2.8个百分点。
2010-07-08
纯晶圆代工 营业收入 增长 iSuppli
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650V CoolMOS C6/E6高压功率晶体管
英飞凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。该产品系列将现代超级结（SJ）器件的优势（如低导通电阻和低容性开关损耗）与轻松控制的开关行为、及体二极管高牢固性融合在一起。
2010-07-07
英飞凌 CoolMOS C6/E6 MOSFET
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650V CoolMOS C6/E6高压功率晶体管
英飞凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。该产品系列将现代超级结（SJ）器件的优势（如低导通电阻和低容性开关损耗）与轻松控制的开关行为、及体二极管高牢固性融合在一起。
2010-07-07
英飞凌 CoolMOS C6/E6 MOSFET
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恩智浦新增高性能射频产品技术中心落户上海及波士顿近郊
恩智浦半导体(NXP Semiconductors)近日宣布，公司增加在射频研发的投资，2010年上半年先后在中国上海以及美国马塞诸塞州比尔里卡市（近波士顿）开设两家恩智浦高性能射频(RF)产品技术中心。
2010-07-07
恩智浦 高性能射频 上海 波士顿近郊
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解析创新高精度数据采集SoC设计方案
目前该类多系列的SoC已经成功应用于包括高性能太阳能自动上位人体秤、电子血压计等应用，实现了超过50万片的累积销量，成功地帮助芯海科技在国内数据采集器件市场占有了一席之地。
2010-07-07
SoC 芯海科技 数据采集器件
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三网融合打破FTTx发展瓶颈
经过两年多的大规模建设，中国FTTB的部署量已经达到了3000万线的规模，预计 2010年底，将超过6000万线以上的规模，城市地区的宽带用户基本上都可以实现FTTB接入，“光进铜退”的第一阶段将基本完成。
2010-07-07
三王融合 FTTx 电信 IPTV
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