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电阻，电动力和功率耗散
电阻是一种被动的两端电气组件，将电阻作为电路元件实现。它是阻碍电荷流动的导体，从而产生电阻。这种抗性是由于自由电子和导体原子的晶体晶格的碰撞而产生的。这是电阻的主要特性。
2025-02-21
电阻 电动力 功率耗散
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公共基础放大器设计
公共碱基放大器是另一种类型的双极连接晶体管（BJT）配置，其中晶体管的基本端子是输入和输出信号的常见终端，因此其名称为common Base（CB）。与更流行的普通发射极（CE）或公共收集器（CC）配置相比，常见的基本配置作为放大器不太常见，但由于其的输入/输出特性，但仍被使用。
2025-02-21
公共基础 放大器
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英飞凌推出采用Q-DPAK和TOLL封装的全新工业CoolSiC MOSFET 650 V G2
电子行业正在向更加紧凑而强大的系统快速转型。为了支持这一趋势并进一步推动系统层面的创新，全球功率系统、汽车和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）正在扩展其CoolSiC MOSFET 650 V单管产品组合，推出了采用Q-DPAK和TOLL封装的两个全新产品系列。
2025-02-21
英飞凌
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超级电容器如何有效加强备用电源和负载管理 (上)
超级电容器，也被称作双电层电容器（EDLC），其储能机制迥异于传统电池，乃是依赖于静电方式累积能量，而非通过化学反应来实现。这一独特性质1，使得超级电容器在应对需要瞬时释放大量电能或要求长期耐用性的应用场景中，展现出了非凡的适用性。
2025-02-21
超级电容器 备用电源 负载管理
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第 4 代碳化硅技术：重新定义高功率应用的性能和耐久性
本白皮书重点介绍 Wolfspeed 专为高功率电子应用而设计的第 4 代碳化硅 (SiC) MOSFET 技术。基于在碳化硅创新领域的传承，Wolfspeed 定期推出尖端技术解决方案，重新定义行业基准。在第 4 代发布之前，第 3 代碳化硅 MOSFET 凭借多项重要设计要素的平衡，已在广泛用例中得到验证，为硬开关应用的全...
2025-02-20
碳化硅技术 高功率应用
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Qorvo BMS创新解决方案助力精准SOC和SOH监测，应对锂离子电池挑战
锂离子电池因其极具吸引力的性能和成本指标，目前已广泛应用于各类便携式设备中。然而，其必须具备精确的充放电控制才能保证安全；这就要求实施电池管理系统。
2025-02-19
Qorvo BMS SOC SOH监测 锂离子电池
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基于HK32C030的高效智能排风扇解决方案揭秘！
在现代生活中，无论是住宅、商业场所还是工业环境，良好的通风换气都至关重要。随着科技的不断进步，智能排风扇逐渐走进大众视野，而基于 HK32C030 的智能排风扇解决方案更是以其独特的优势，为市场带来了全新的机遇。
2025-02-18
智能排风扇 HK32C030
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芯片封装需要进行哪些仿真？
全球的封装设计普及率和产能正在不断扩大。封装产能是一个方面，另一方面是在原型基板和封装上投入资源之前，进行测试和评估的需求。这意味着设计人员需要利用仿真工具来全面评估封装基板和互连。
2025-02-18
芯片封装 仿真
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ROHM开发出适用于便携式A4打印机的小型热敏打印头
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出支持2节锂离子电池驱动（VH＝7.2V）的8英寸热敏打印头“KA2008-B07N70A”。
2025-02-18
ROHM
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