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华为、中芯国际亮相，大湾区迎来“新”风潮！
如今，他们作为深圳市“20+8”产业相关展会，正致力于带动产业链创新要素集聚，助推深圳加快形成“新质生产力”。2024年4月9日至11日，这个备受瞩目的科技盛会再度拉开帷幕，届时华为、TCL、中芯国际、联发科、海信、潮州三环等知名企业都将集结亮相。
2024-03-21
华为 中芯国际
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电动汽车无线电池管理革命已经开始，投资回报潜力巨大
随着电动汽车电池组的寿命周期进一步延长，在从制造到服务再到退役的过程中，每个wBMS模块都要维持严格安全协议的必要性越来越大。OEM必须始终保持电池模块的完整性，如果无法独立验证其安全状态，模块二次使用的价值就有被否定的风险。
2024-03-19
电动汽车 无线电池管理
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双脉冲测试（DPT）的方法解析
双脉冲测试（DPT）是一种被广泛接受的评估功率器件动态特性的方法。以IGBT在两电平桥式电路中应用为例，如下图，通过调节直流母线电压和第一个脉冲持续时间，可以在第一个脉冲结束和第二个脉冲开始时捕捉到被测器件在任何所需的电压和电流条件下的开关瞬态行为。
2024-03-19
双脉冲测试
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800V架构下，给连接器带来了哪些“改变”？
众所周知，新能源汽车用连接器的作用主要是保证整车高压互联系统，即在内部电路被阻断或孤立不通处架起桥梁从而使电流流通，通过独立或与线缆一起，为器件、组件、设备、子系统之间传输电流或光信号，并且保持各系统之间不发生信号失真和能量损失的变化，是构成整个完整系统连接所必须的基础元件。...
2024-03-13
架构 连接器
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功率MOSFET的UIS(UIL)特性知多少？
在关断状态下，功率MOSFET的体二极管结构的设计是为了阻断最小漏极-源极电压值。MOSFET体二极管的击穿或雪崩表明反向偏置体二极管两端的电场使得漏极和源极端子之间有大量电流流动。典型的阻断状态漏电流在几十皮安到几百纳安的数量级。之前我们讨论过功率MOSFET的雪崩效应，今天，我们将继续分享相...
2024-03-12
功率MOSFET UIS
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人工智能已悄然成为 RECOM工程师的最强大脑
乍一看，人工智能 (AI) 和电源设计似乎没有太多共同之处。然而，RECOM 已经在至少三个不同领域积极应用人工智能技术，旨在提升我们的产品和服务质量。请继续阅读，了解人工智能、电力和 RECOM 如何变得密不可分。
2024-03-06
人工智能 电源设计
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使用大面积分析提升半导体制造的良率
设计规则检查 (DRC) 技术用于芯片设计，可确保以较高的良率制造出所需器件。设计规则通常根据所使用设备和工艺技术的限制和变异性制定。DRC可确保设计符合制造要求，且不会导致芯片故障或DRC违规。常见的DRC规则包括最小宽度和间隔要求、偏差检查以及其他规格，以避免在制造过程中出现短路、断路、...
2024-03-05
半导体制造 芯片
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轻松了解功率MOSFET的雪崩效应
在关断状态下，功率MOSFET的体二极管结构的设计是为了阻断最小漏极-源极电压值。MOSFET体二极管的击穿或雪崩表明反向偏置体二极管两端的电场使得漏极和源极端子之间有大量电流流动。典型的阻断状态漏电流在几十皮安到几百纳安的数量级。
2024-03-04
功率MOSFET 雪崩效应
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多通道优先级放大器的设计与应用
模拟优先级放大器最初是作为多输出电源的一部分进行设计，其中稳压操作基于最高优先级通道的电压。该放大器的另一个应用是带电子节气门控制的引擎控制系统，其中引擎需要对多个输入命令中优先级最高的一个作出响应。
2024-03-01
多通道 放大器
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