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PFC中功率MOSFET常见的一种失效形式

发布时间:2020-01-15 责任编辑:xueqi

【导读】TV、户外LED照明等功率比较大的电源系统中,通常输入端使用PFC功率因素校正电路。系统反复起动的过程中,如系统动态老化Burn In测试、输入打火测试,由于PFC控制芯片的供电VCC电源建立过程比较慢,特别是使用PFC的电感绕组给PFC控制芯片供电的情况,会导致功率MOSFET管的驱动在起动的过程中,由于驱动电压不足,容易进入线性区工作,功率MOSFET反复不断的进入线性区工作,工作一段时间后,就会形成局部热点而损坏。
 
例1:户外LED照明电源,拓扑结构为PFC+LLC,PFC两个功率MOSFET并联,PFC控制芯片ST6562临界模式,Vin:90-305Vac,PFC输出Vout即母线电压460V,PFC电感是200uH。
 
具体的情况如下:
 
输入端305Vac、220Vac进行打火测试,满载情况下,电感电流会进入连续模式状态,MOSFET失效。
 
从失效的图片,可以明显的看到,功率MOSFET进入线性区失效。
 
图1:例1失效图片
 
例2:日光灯电子镇流器的PFC电路,系统在动态老化测试过程中,MOSFET产生损坏失效,测试实际的电路,在起动过程中,MOSFET实际驱动电压只有5V左右,MOSFET相当于有很长的一段时间工作在线性区,器件形成局部热点,而且离G极比较近,因此,器件是在开通过程中,由于较长时间工作线性区产生的失效,工作波形和失效形态如图2、图3所示。
 
图2:例2失效图片
 
图3:例2线性区的工作波形
 
来源:松哥电源  
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