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突破传统的IGBT系统电路保护设计
目前，在使用和设计IGBT的过程中，基本上都是采用粗放式的设计模式——所需余量较大，系统庞大，但仍无法抵抗来自外界的干扰和自身系统引起的各种失效问题。 本文将突破传统的保护方式，探讨IGBT系统电路保护设计的解决方案。
2013-03-25
IGBT 电路设计 电路保护
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TSPD与PPTC在雷电防护电路中的应用
雷电防护器件有很多种，其特性各有不同。本文以TSPD和PPTC为例，对这两种保护器件的应用特性和注意事项以及防护原理都给出了很详细的讲解，看这两种器件到底有什么厉害之处。
2013-03-22
雷电防护 PPTC TSPD
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【设计攻略】USB 3.0的电路保护
USB 3.0的高速传输已经增加的电流和供电能力意味着需要新的电路保护,本文介绍一了经过改进的电路保护方法，可以帮助保护USB 3.0应用免受过流、过压及ESD瞬态电压带来的损害。
2013-03-22
USB 3.0 电路保护 设计攻略
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应用在电源管理中的肖特基二极管
很多设计都采用一个转换器设计（网络）工具推荐的二极管。这并非总是二极管的最优选择。本文将探讨一些在选择正确的二极管时应仔细考虑的典型参数，以及如何应用这些参数来快速确定选型的正确与否。
2013-03-22
电源管理 肖特基二极管 热逃逸
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变压器过电压抑制介绍
变压器因雷电过电压造成的事故还时有发生，提出将高频磁环并联阻尼电阻后串接在线路的适当位置来抑制变电站变压器雷电过电压的方法，通过振荡回路的试验和仿真建立了高频磁环的EMTP仿真计算模型。
2013-03-22
变压器 过电压 抑制
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可将元件损失降低50%的肖特基势垒二极管
东芝将量产SiC制肖特基势垒二极管，可将元件损失降低50%以上。新产品可用于服务器电源、光伏发电用功率调节器等用途，新产品的反向重复峰值电压VRRM为650V，平均正向电流IFM为12A，正向电压VF为1.7V，反向重复峰值电流IRRM为90μA。
2013-03-22
肖特基势垒二极管 损耗 量产
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2013中韩LED照明产业高峰论坛在蓉胜利闭幕
日前，“2013中韩LED产业高峰论坛”在成都世纪城新国际会展中心4-5会议室圆满落幕，中韩专家悉数到场做了精彩报告，论坛吸引了超过3000人次的关注，大批LED行业专业人士和企业代表出席并参加了论坛。
2013-03-21
2013中韩LED产业高峰论坛,LED行业
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怎样计算晶振的负载电容
各种逻辑芯片的晶振引脚可以等效为电容三点式振荡器。晶振引脚的内部通常是一个反相器，或者是奇数个反相器串联。在晶振输出引脚XO和晶振输入引脚XI之间用一个电阻连接。
2013-03-21
计算 晶振 负载电容
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新开发的片状多层陶瓷电容器
京瓷开发出全球首创的片状多层陶瓷电容器，主要用于工业设备，具有较小的尺寸和耐高压及高静电容量性能。新产品(CM316X7S475M100V)采用京瓷多年积累的材料技术对介质材料进行改善。
2013-03-20
片状多层陶瓷电容器 耐高压 高静电容量
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