- 支持20V的输入电压
- 电力转换效率高达91%
- 可降低约70%的封装面积
- 笔记本电脑的MPU和内存等的电压稳压器
瑞萨科技针对笔记本电脑的MPU和内存等的电压稳压器,上市了符合“integrated Driver-MOSFET(DrMOS)”标准的功率MOS FET“R2J20653ANP”。新产品支持20V的输入电压,电力转换效率高达91%(输入电压为20V、输出电压为1.1V时)。
DrMOS是美国英特尔提倡的封装产品规格,将MPU等的电源所需的两种功率MOSFET以及驱动这两种功率MOSFET的驱动IC(1个)集成于一个封装内。此次的产品符合该规格,可将20V的输入电压转换为1.1V的MPU内核电源电压。
瑞萨此前也一直在开发和提供符合DrMOS标准的产品。不过,原来是面向服务器和台式电脑的、输入电压为12V的产品。此次是该公司首次上市可输入AC适配器20V电压的高耐压产品。该产品的输入电压为4.5~27V。输出电压为0.6V~5.0V。最大额定电流为35A。
与独立封装相比,将降低70%的底板面积
R2J20653ANP将高端(High Side)MOSFET、低端(Low Side)MOSFET以及驱动这两种MOSFET的驱动IC集成在了一个封装内。均为瑞萨制造。低端MOSFET内置有肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode),降低了开关时的损耗。另外,将驱动IC面向两个MOSFET的开关控制进行了优化。由此,在输入电压为20V、输出电压为1.1V(频率为300kHz)的条件下,实现了91%的电力转换效率。
该产品采用了6mmx6mm的小型高散热式40引脚QFN封装。与由3个独立封装构成的情况相比,可降低约70%的封装面积(与该公司原产品相比)。而且最大工作频率高达2MHz,有助于外置部件的小型化。
另外,此次的封装在内部连接中采用了无线结构的铜板,大幅降低了封装内部的电阻。而且大电流路径采用占据封装背面大半部分的端子,因此便于处理电流与热量的问题。
此外,该产品作为符合DrMOS标准的产品,“业界首次”(瑞萨)在驱动IC中内置了过热警告功能(Thermal Warning)和过热停止功能(Thermal Shutdown)两个阶段的过热保护功能,提高了安全性和可靠性。样品价格(含税)为200日元。2009年12月7日开始量产。(记者:小岛 郁太郎)