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测试测量

存储技术变局为中国制造带来了什么机遇？

纵观半导体发展历史，一种新兴技术的出现，影响的不只是个别公司的兴衰，更是推动了某个产业的转型，新技术是变革者赶超传统技术列强的利器，也是产业升级的动力源，现在，我们又将迎来新一轮的存储技术变局——以NAND FLASH为代表的半导体存储技术会给我们的本土企业带来了什么机遇？这里结合自己的...

2012-03-29

存储技术中国制造机遇

智能化升级带来国有电子设备企业新危机

据国家统计局最新数据，今年1~2月份，国有企业的利润步入下行通道，全国规模以上的工业企业中，计算机、通信和其他电子设备制造业的利润下降了40.8%

2012-03-29

智能手机山寨手机国有企业计算机

物联网将重点发展智能医疗项目

足不出户，通过手机、电脑、电视等智能终端就能了解小区附近交通、教育、医疗、超市等服务资源。在不远的将来，从医院的门诊、病床直到院长监控室，智能医疗都将大展身手。这些都不是梦想，在物联网高速发展的今天，各项政策的积极推进，并且随着物联网、云计算、移动互联网的迅猛发展，智能医疗...

2012-03-29

物联网智能医疗

三大运营商“聚焦”移动互联网发展各有侧重

中国移动近几年运营成本持续增长，2011年运营成本3767亿元，增长12.6%。其中折旧和销售费用占比超过50%；中国电信运营成本增长较快，2011年运营成本2209.12亿元，同比增长12.5%，主要是销售、一般及管理费用的增长较快，其中移动终端销售成本增长159.2%、移动手机补贴增长29.1%；中国联通运营成本增...

2012-03-29

移动互联网三网融合

如何提高汽车引擎控制单元的测试速度

汽车电力系统的不当调节，会导致经常发生电压骤降和过击的现象。在正常的情况下，电压的范围会介于11 到15 伏特之间，而在暂态开始和执行的情况下，则会介于8 到24 伏特之间。因此，在测试引擎控制单元（ECU）时必须执行电压边限测试，以验证在极端的偏压电压情况下能否正常操作，以及容许度有多大。

2012-03-29

汽车引擎控制单元测试速度

浅析MOS管击穿的原因及解决方案

MOS管本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压（U=Q/C），将管子损坏。虽然MOS输入端有抗静电的保护措施，但仍需小心对待，在存储和运输中最好用金属容器或者导电材料包装，不要放在易产生静电高压的化...

2012-03-29

MOS管击穿原因解决方案

降压式DC/DC转换器的MOSFET选择要点

同步整流降压式DC/DC转换器都采用控制器和外接功率MOSFET的结构。控制器生产商会在数据资料中给出参数齐全的应用电路，但用户的使用条件经常与典型应用电路不同，要根据实际情况改变功率MOSFET的参数。

2012-03-29

DC/DC MOSFET 降压式

校园路灯的PLC控制系统设计方案

基于PLC 控制的学校路灯控制系统在灯具节能上把握了节能的新方向，采用分时分段控制，克服了隔灯点亮的光照不均匀、灯具寿命缩短、不能点亮灯和电能的浪费等问题。该系统可通过PLC 编程来改变控制方案，适用于有不同时差的地区，是路灯节能的发展趋势。

2012-03-29

F940GOT 触摸屏传感器检验电路

只使用少量高压元件的主驱动零交越检测器

本设计中的电路可生成一个交流电源的零交越脉冲，并提供电气绝缘。输出脉冲的下降沿出现在零交越点前约200μs.使用这个电路可以安全地停止一个可控硅栅极的触发，使之有时间正常地关断。只有当主电压约为0V时，电路才产生短脉冲，因此在230V、50Hz输入下只耗电200mW.

2012-03-29

高压元件检测器 LED电流电源驱动

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