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欧盟批准松下收购三洋需剥离电池业务

欧盟委员会29日决定，批准日本松下电器收购三洋电机，但前提条件是两家企业合并后必须出售在欧洲的部分电池生产业务，以消除竞争担忧。

2009-10-12

欧盟松下收购三洋

台湾首例氮化铝投资 LED成本降3成

台湾国立成功大学和金铝公司今天签约共同投资生产氮化铝，也是台湾第一个氮化铝产业；金铝公司表示，台湾氮化铝都是从国外进口，国内产製后，氮化铝成本预估降低3成。

2009-10-12

台湾金铝氮化铝国立成功大学

电源及控制电路是半导体照明的关键

目前发展半导体照明产业的问题是：LED灯具用电源和控制电路、LD(半导体激光器)照明和半导体照明配套政策必须引起我们的高度重视。

2009-10-12

LED LD 照明

电子元器件在电路仿真中的建模

计算机仿真具有效率高、精度高、可靠性高和成本低等特点，已被广泛应用于电力电子电路(或系统)的分析和设计。目前各种仿真工具中都自带很多常用的元器件模型，但是自带模型库永远跟不上电子元器件的更新速度。这里针对建模的重要性和必要性，研究当前流行的电子电路仿真工具的电子元器件模型，提出...

2009-10-12

计算机仿真建模的参数建模法子电路建模法

FSSD06 /FSSD07 :飞兆半导体推出通信功能的存储器开关

飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor)为手机、数码相机和便携应用设计人员提供两款存储器开关产品 FSSD06 和 FSSD07 ，扩展了普通处理器至安全数字(SD)、安全数字I/O (SDIO) 和多媒体卡 (MMC)等外设的通信功能。

2009-10-12

FSSD06 FSSD07 开关便携应用手机

FSSD06 /FSSD07 :飞兆半导体推出通信功能的存储器开关

2009-10-12

FSSD06 FSSD07 开关便携应用手机

FDFME3N311ZT：飞兆半导体实现高效率的升压开关

飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 全新的升压开关产品FDFME3N311ZT，有助提高手机、医疗、便携和消费应用设计的升压转换电路效率。该器件结合了30V集成式N沟道PowerTrench® MOSFET和肖特基二极管，具有极低的输入电容 (典型值55pF) 和总体栅极电荷 (1nC)，以提升DC-DC升压设计的效率。

2009-10-12

FDFME3N311ZT MOSFET 飞兆半导体

FDFME3N311ZT：飞兆半导体实现高效率的升压开关

2009-10-12

FDFME3N311ZT MOSFET 飞兆半导体

安华高科技推出高速互连应用先进嵌入式光学引擎技术

Avago Technologies(安华高科技)10月2日宣布，公司已经开发出一项突破性的嵌入式光学引擎技术，可以为各种广泛的电子计算和消费类应用带来高速互连的能力。

2009-10-12

嵌入式光学引擎 Light Peak 安华高

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