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纳米技术在微电子连接上的设计应用
本文示举两例，介绍纳米技术在微电子连接方面的应用。纳米技术（nanotechnology）是一门在0.1～100nm空间尺度内操纵原子和分子，对材料进行加工，制造具有特定功能的产品，或对某物质进行研究，掌握其原子和分子的运动规律和特性的崭新高技术。
2010-06-01
纳米技术 微电子 纳米印刷 纳米连接
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Littelfuse 连续两年授予Mouser目录分销商奖
Mouser Electronics，以其新产品快速导入知名。今日宣布，Mouser被Littelfuse授予2009年目录分销商奖。 Littelfuse是电路保护设备的领先制造商，提供行业内范围最广最深入的电路保护产品和解决方案。
2010-06-01
Littelfuse Mouser
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Littelfuse 连续两年授予Mouser目录分销商奖
Mouser Electronics，以其新产品快速导入知名。今日宣布，Mouser被Littelfuse授予2009年目录分销商奖。 Littelfuse是电路保护设备的领先制造商，提供行业内范围最广最深入的电路保护产品和解决方案。
2010-06-01
Littelfuse Mouser
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Littelfuse 连续两年授予Mouser目录分销商奖
Mouser Electronics，以其新产品快速导入知名。今日宣布，Mouser被Littelfuse授予2009年目录分销商奖。 Littelfuse是电路保护设备的领先制造商，提供行业内范围最广最深入的电路保护产品和解决方案。
2010-06-01
Littelfuse Mouser
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安森美半导体推出IPD2工艺技术
应用于绿色电子产品的首要高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)推出新的集成无源元件(IPD)工艺技术——IPD2。这新工艺是公司增强既有的HighQ™硅铜(copper on silicon) IPD技术，第二层的铜层厚度仅为5微米(μm)，增强了电感性能，提高了灵活性，配合...
2010-06-01
IPD2 集成无源元件(IPD)工艺
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安森美半导体推出IPD2工艺技术
应用于绿色电子产品的首要高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)推出新的集成无源元件(IPD)工艺技术——IPD2。这新工艺是公司增强既有的HighQ™硅铜(copper on silicon) IPD技术，第二层的铜层厚度仅为5微米(μm)，增强了电感性能，提高了灵活性，配合...
2010-06-01
IPD2 集成无源元件(IPD)工艺
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安森美半导体推出IPD2工艺技术
应用于绿色电子产品的首要高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)推出新的集成无源元件(IPD)工艺技术——IPD2。这新工艺是公司增强既有的HighQ™硅铜(copper on silicon) IPD技术，第二层的铜层厚度仅为5微米(μm)，增强了电感性能，提高了灵活性，配合...
2010-06-01
IPD2 集成无源元件(IPD)工艺
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飞兆半导体USB技术实现移动产品设计差异化
USB业已成为移动应用设备的通用接口，USB端口从单纯的数据接口已经演变为一种文件传输、电池充电、收听音乐和设备工厂编程的方法。为了更好地支持单一连接器上的功能融合，飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)提供全新的USB收发器和USB附件检测开关，可以实现更丰富功能，且不会增加设计复杂性...
2010-06-01
micro-USB开关(FSA9280A) USB收发器(FUSB2500)
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飞兆半导体USB技术实现移动产品设计差异化
USB业已成为移动应用设备的通用接口，USB端口从单纯的数据接口已经演变为一种文件传输、电池充电、收听音乐和设备工厂编程的方法。为了更好地支持单一连接器上的功能融合，飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)提供全新的USB收发器和USB附件检测开关，可以实现更丰富功能，且不会增加设计复杂性...
2010-06-01
micro-USB开关(FSA9280A) USB收发器(FUSB2500)
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