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电线电缆产品制造的工艺特性
电线电缆的制造工艺和专用设备的发展密切相关，互相促进。新工艺要求，促进新专用设备的产生和发展；反过来，新专用设备的开发，又提高促进了新工艺的推广和应用。如拉丝、退火、挤出串联线；物理发泡生产线等专用设备，促进了电线电缆制造工艺的发展和提高，提高了电缆的产品质量和生产效率。本文...
2010-05-12
电线 电缆 拉制 包覆
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安森美半导体荣获龙旗控股颁发 “优秀供应商”奖
应用于绿色电子产品的首要高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号： ONNN )宣布荣获全球领先的无线通讯技术产品和服务提供商龙旗控股(简称“龙旗”)颁发的“2009年度优秀供应商”奖。
2010-05-12
安森美 龙旗 绿色电子产品 “优秀供应商”奖
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安森美半导体荣获龙旗控股颁发 “优秀供应商”奖
应用于绿色电子产品的首要高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号： ONNN )宣布荣获全球领先的无线通讯技术产品和服务提供商龙旗控股(简称“龙旗”)颁发的“2009年度优秀供应商”奖。
2010-05-12
安森美 龙旗 绿色电子产品 “优秀供应商”奖
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安森美半导体荣获龙旗控股颁发 “优秀供应商”奖
应用于绿色电子产品的首要高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号： ONNN )宣布荣获全球领先的无线通讯技术产品和服务提供商龙旗控股(简称“龙旗”)颁发的“2009年度优秀供应商”奖。
2010-05-12
安森美 龙旗 绿色电子产品 “优秀供应商”奖
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ST发布高性能功率封装 可提高MDmesh V功率密度
功率半导体厂商意法半导体推出一款先进的高性能功率封装，这项新技术将会提高意法半导体最新的MDmesh V功率MOSFET技术的功率密度。
2010-05-12
PowerFLAT™ 8x8 HV 封装 意法半导体 ST MOSFET MDmesh™ V
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ST发布高性能功率封装 可提高MDmesh V功率密度
功率半导体厂商意法半导体推出一款先进的高性能功率封装，这项新技术将会提高意法半导体最新的MDmesh V功率MOSFET技术的功率密度。
2010-05-12
PowerFLAT™ 8x8 HV 封装 意法半导体 ST MOSFET MDmesh™ V
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ST发布高性能功率封装 可提高MDmesh V功率密度
功率半导体厂商意法半导体推出一款先进的高性能功率封装，这项新技术将会提高意法半导体最新的MDmesh V功率MOSFET技术的功率密度。
2010-05-12
PowerFLAT™ 8x8 HV 封装 意法半导体 ST MOSFET MDmesh™ V
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ThinPAK 8x8：英飞凌推出适用于高压功率MOSFET的新型无管脚SMD封装
英飞凌科技股份公司近日推出适用于高压功率MOSFET的全新无管脚SMD封装ThinPAK 8x8。新封装的占板空间仅为64平方毫米（D2PAK的占板空间为150平方毫米），高度仅为1毫米（D2PAK的高度为4.4毫米）。
2010-05-12
ThinPAK 8x8 英飞凌 MOSFET SMD封装
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ThinPAK 8x8：英飞凌推出适用于高压功率MOSFET的新型无管脚SMD封装
英飞凌科技股份公司近日推出适用于高压功率MOSFET的全新无管脚SMD封装ThinPAK 8x8。新封装的占板空间仅为64平方毫米（D2PAK的占板空间为150平方毫米），高度仅为1毫米（D2PAK的高度为4.4毫米）。
2010-05-12
ThinPAK 8x8 英飞凌 MOSFET SMD封装
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