-
MM8202/MM8102：IDT推出全硅CMOS振荡器
IDT推出全硅 CMOS 振荡器 MM8202 和 MM8102。这些集成电路满足小型化要求，在消费、计算和存储应用中无需使用石英谐振器和振荡器，为所有常见串行有线接口提供优异的链接性能。
2010-05-07
MM8202 MM8102 IDT CMOS 振荡器
-
Lumex推出承受105℃高温的7段LED
Lumex推出承受105℃高温的7段LED ，QuasarBrite7段数字LED显示器工作温度高达105°C，用于高发热环境中。0.25W显示器采用0.28” ~ 4”字符高度，与标准驱动器兼容。
2010-05-07
Lumex LED QuasarBrite CPS
-
未来三年电子书将成为手持装置成长冠军
工研院IEK提出预测，全球电子书出货量将从2010年的720万台增长至2013年的2200万台；成长率高达208%，是手持式装置中成长幅度最高的。
2010-05-07
电子书 液晶 ICT
-
针对LED照明灯具的能源之星标准发布最终版本
能源之星标准在经过了三次草案的发布后，美国能源部（DOE）终于对LED光源灯具的能源之星标准发布了最后的确认版本，并要求于2010年8月31日生效。
2010-05-07
能源之星 标准 LED
-
针对LED照明灯具的能源之星标准发布最终版本
能源之星标准在经过了三次草案的发布后，美国能源部（DOE）终于对LED光源灯具的能源之星标准发布了最后的确认版本，并要求于2010年8月31日生效。
2010-05-07
能源之星 标准 LED
-
针对LED照明灯具的能源之星标准发布最终版本
能源之星标准在经过了三次草案的发布后，美国能源部（DOE）终于对LED光源灯具的能源之星标准发布了最后的确认版本，并要求于2010年8月31日生效。
2010-05-07
能源之星 标准 LED
-
Si7625DN：Vishay推出30V P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET
日前，Vishay推出首款采用PowerPAK® 1212-8封装的30V P沟道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- Si7625DN，用于笔记本电脑、上网本和工业/通用系统中的适配器、负载和电池开关，该器件的导通电阻是最低的还可以减小电压降。
2010-05-07
Vishay TrenchFET MOSFET
-
Si7625DN：Vishay推出30V P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET
日前，Vishay推出首款采用PowerPAK® 1212-8封装的30V P沟道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- Si7625DN，用于笔记本电脑、上网本和工业/通用系统中的适配器、负载和电池开关，该器件的导通电阻是最低的还可以减小电压降。
2010-05-07
Vishay TrenchFET MOSFET
-
Li电池充电器CC-CV充电测试
由于锂离子电池充电过程需要一小时或更长时间，利用实际负载测试锂电池充电器将非常耗时，而且往往不切实际。为了加快电池充电器测试，本文介绍了一个简单电路，用来模拟锂离子电池。该电路提供了一个不使用实际电池对锂电池充电器进行测试的有效手段。
2010-05-06
Li电池 充电测试 CC-CV充电
- 噪声中提取真值！瑞盟科技推出MSA2240电流检测芯片赋能多元高端测量场景
- 10MHz高频运行！氮矽科技发布集成驱动GaN芯片，助力电源能效再攀新高
- 失真度仅0.002%！力芯微推出超低内阻、超低失真4PST模拟开关
- 一“芯”双电！圣邦微电子发布双输出电源芯片，简化AFE与音频设计
- 一机适配万端：金升阳推出1200W可编程电源，赋能高端装备制造
- 普恩志半导体核心备件，驱动3nm工艺极致控温与良率
- 普恩志半导体核心备件，驱动3nm工艺极致控温与良率
- 突破280A大电流与77G毫米波技术：基础元器件如何支撑智能时代？
- 拥抱AI与800V时代：纳芯微如何凭借“隔离+”技术在服务器电源领域站稳脚跟？
- 从Test System Architect到600系列高压继电器：品英仪器重新定义模块化信号开关与仿真
- 车规与基于V2X的车辆协同主动避撞技术展望
- 数字隔离助力新能源汽车安全隔离的新挑战
- 汽车模块抛负载的解决方案
- 车用连接器的安全创新应用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
