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Si7137DP:Vishay新型P 通道功率MOSFET
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)发布采用其新型 p 通道 TrenchFET第三代技术的首款器件 --- Si7137DP,该 20V p通道 MOSFET 采用 SO-8 封装,具备业内最低的导通电阻。
2009-03-12
TrenchFET Si7137DP MOSFET 导通电阻 开关
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Si7137DP:Vishay新型P 通道功率MOSFET
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)发布采用其新型 p 通道 TrenchFET第三代技术的首款器件 --- Si7137DP,该 20V p通道 MOSFET 采用 SO-8 封装,具备业内最低的导通电阻。
2009-03-12
TrenchFET Si7137DP MOSFET 导通电阻 开关
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Si7137DP:Vishay新型P 通道功率MOSFET
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)发布采用其新型 p 通道 TrenchFET第三代技术的首款器件 --- Si7137DP,该 20V p通道 MOSFET 采用 SO-8 封装,具备业内最低的导通电阻。
2009-03-12
TrenchFET Si7137DP MOSFET 导通电阻 开关
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中国版WEEE出台:电器厂商成本上升5%
在欧盟《关于报废电子电器设备指令》(WEEE)全面实施近三年后,中国版WEEE出台。条例对制造商有很多保护措施,而金融危机的到来让该条例正式实施的时间推迟到2011年元旦。中国版的WEEE在多次征求意见和修改后对生产者采取了优惠的政策,但保留了“生产者负责制”。该法规有可能使电器制造商的成本上升5...
2009-03-12
中国版WEEE WEEE 关于报废电子电器设备指令 废弃电器电子产品回收处理管理条例
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中国版WEEE出台:电器厂商成本上升5%
在欧盟《关于报废电子电器设备指令》(WEEE)全面实施近三年后,中国版WEEE出台。条例对制造商有很多保护措施,而金融危机的到来让该条例正式实施的时间推迟到2011年元旦。中国版的WEEE在多次征求意见和修改后对生产者采取了优惠的政策,但保留了“生产者负责制”。该法规有可能使电器制造商的成本上升5...
2009-03-12
中国版WEEE WEEE 关于报废电子电器设备指令 废弃电器电子产品回收处理管理条例
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中国版WEEE出台:电器厂商成本上升5%
在欧盟《关于报废电子电器设备指令》(WEEE)全面实施近三年后,中国版WEEE出台。条例对制造商有很多保护措施,而金融危机的到来让该条例正式实施的时间推迟到2011年元旦。中国版的WEEE在多次征求意见和修改后对生产者采取了优惠的政策,但保留了“生产者负责制”。该法规有可能使电器制造商的成本上升5...
2009-03-12
中国版WEEE WEEE 关于报废电子电器设备指令 废弃电器电子产品回收处理管理条例
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2009年全球智能手机将会获得强劲增长
In-Stat公司最新的研究报告指出,到2013年全球智能手机的市场份额将会占到整个手机市场的20%,同时今年全球智能手机将会获得强劲增长。
2009-03-12
智能手机 iPhone Magic
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CM1235/6:California Micro Devices两款最新ESD保护器件
California Micro Devices宣布 XtremeESD(R) 系列新添两款 ESD(静电放电)保护器件CM1235 和 CM1236。这两款器件都整合了获奖的 PicoGuard XS 架构,该架构拥有整合的阻抗匹配和更高的 ESD 性能。
2009-03-11
CM1235 CM1236 ESD保护器件
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CM1235/6:California Micro Devices两款最新ESD保护器件
California Micro Devices宣布 XtremeESD(R) 系列新添两款 ESD(静电放电)保护器件CM1235 和 CM1236。这两款器件都整合了获奖的 PicoGuard XS 架构,该架构拥有整合的阻抗匹配和更高的 ESD 性能。
2009-03-11
CM1235 CM1236 ESD保护器件
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