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英特尔开发出突破性硅基APD
英特尔(Intel)周日宣布，他们在通往光计算机的道路上又迈出了坚实的一步。Intel在最新一期自然杂志上发表的文章宣称，公司已经使用硅材料创造了雪崩光电二极管（APD）的性能世界纪录，频率高达340GHz。
2008-12-11
光计算机 光脑 光通讯 雪崩光电二极管 APD 二极管
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英特尔开发出突破性硅基APD
英特尔(Intel)周日宣布，他们在通往光计算机的道路上又迈出了坚实的一步。Intel在最新一期自然杂志上发表的文章宣称，公司已经使用硅材料创造了雪崩光电二极管（APD）的性能世界纪录，频率高达340GHz。
2008-12-11
光计算机 光脑 光通讯 雪崩光电二极管 APD 二极管
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2008年中国电子高峰论坛精彩演讲稿火热下载
2008年中国电子高峰论坛精彩演讲稿
2008-12-10
电子高峰论坛 资料下载
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南昌将建设中国最大“LED制造中心”
记者从有关部门获悉，南昌市在高新区规划了800亩用地，正在打造以晶能光电等公司为龙头的LED特色产业园，使南昌成为中国最大的“LED制造中心”。
2008-12-10
LED 硅衬底发光二极管 LED制造中心 南昌市
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南昌将建设中国最大“LED制造中心”
记者从有关部门获悉，南昌市在高新区规划了800亩用地，正在打造以晶能光电等公司为龙头的LED特色产业园，使南昌成为中国最大的“LED制造中心”。
2008-12-10
LED 硅衬底发光二极管 LED制造中心 南昌市
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南昌将建设中国最大“LED制造中心”
记者从有关部门获悉，南昌市在高新区规划了800亩用地，正在打造以晶能光电等公司为龙头的LED特色产业园，使南昌成为中国最大的“LED制造中心”。
2008-12-10
LED 硅衬底发光二极管 LED制造中心 南昌市
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NEC东金将开始量产透磁率为100的无卤防噪音薄膜
NEC东金开发出提高了噪音抑制效果的无卤防噪音薄膜“Busteraid EFX”，将于2008年12月开始量产。该薄膜为将其贴于噪音源头及传播路径处即可抑制噪音的薄膜状部件，共备有厚度在50μm～1mm之间的6种产品。具有产生的反射波等副作用小、信号波形几乎不变等优点。面向手机、笔记本电脑以及数码相机等电子...
2008-12-10
Busteraid EFX 无卤防噪音薄膜 抑制噪音
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NEC东金将开始量产透磁率为100的无卤防噪音薄膜
NEC东金开发出提高了噪音抑制效果的无卤防噪音薄膜“Busteraid EFX”，将于2008年12月开始量产。该薄膜为将其贴于噪音源头及传播路径处即可抑制噪音的薄膜状部件，共备有厚度在50μm～1mm之间的6种产品。具有产生的反射波等副作用小、信号波形几乎不变等优点。面向手机、笔记本电脑以及数码相机等电子...
2008-12-10
Busteraid EFX 无卤防噪音薄膜 抑制噪音
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NEC东金将开始量产透磁率为100的无卤防噪音薄膜
NEC东金开发出提高了噪音抑制效果的无卤防噪音薄膜“Busteraid EFX”，将于2008年12月开始量产。该薄膜为将其贴于噪音源头及传播路径处即可抑制噪音的薄膜状部件，共备有厚度在50μm～1mm之间的6种产品。具有产生的反射波等副作用小、信号波形几乎不变等优点。面向手机、笔记本电脑以及数码相机等电子...
2008-12-10
Busteraid EFX 无卤防噪音薄膜 抑制噪音
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