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Vishay推出采用TurboFET技术第三代功率MOSFET
日前,Vishay Intertechnology, Inc.推出两款 20V 和两款 30V n 通道器件,从而扩展其第三代 TrenchFET 功率 MOSFET 系列。这些器件首次采用 TurboFET技术,利用新电荷平衡漏结构将栅极电荷降低多达 45%,从而大幅降低切换损耗及提高切换速度。
2008-12-05
SiS426DN SiR496DP Si7718DN Si7784DP TrenchFET 功率MOSFET MOSFET
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Vishay推出采用TurboFET技术第三代功率MOSFET
日前,Vishay Intertechnology, Inc.推出两款 20V 和两款 30V n 通道器件,从而扩展其第三代 TrenchFET 功率 MOSFET 系列。这些器件首次采用 TurboFET技术,利用新电荷平衡漏结构将栅极电荷降低多达 45%,从而大幅降低切换损耗及提高切换速度。
2008-12-05
SiS426DN SiR496DP Si7718DN Si7784DP TrenchFET 功率MOSFET MOSFET
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Vishay推出采用TurboFET技术第三代功率MOSFET
日前,Vishay Intertechnology, Inc.推出两款 20V 和两款 30V n 通道器件,从而扩展其第三代 TrenchFET 功率 MOSFET 系列。这些器件首次采用 TurboFET技术,利用新电荷平衡漏结构将栅极电荷降低多达 45%,从而大幅降低切换损耗及提高切换速度。
2008-12-05
SiS426DN SiR496DP Si7718DN Si7784DP TrenchFET 功率MOSFET MOSFET
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工信部称电子产业内资日子好过外资
中国电子信息产业受金融危机之创明显,进入第三季度后至10月底,该产业增加值的增速一路下滑,而进出口增速同比也有较大回落。工业和信息化部(下称“工信部”)昨天公布的10月份国内电子信息产业经济运行情况、1~10月电子产业统计数据显示,中国电子信息产业发展速度已明显放缓,结构调整继续深化。
2008-12-04
电子信息产业 电子制造业
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工信部称电子产业内资日子好过外资
中国电子信息产业受金融危机之创明显,进入第三季度后至10月底,该产业增加值的增速一路下滑,而进出口增速同比也有较大回落。工业和信息化部(下称“工信部”)昨天公布的10月份国内电子信息产业经济运行情况、1~10月电子产业统计数据显示,中国电子信息产业发展速度已明显放缓,结构调整继续深化。
2008-12-04
电子信息产业 电子制造业
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工信部称电子产业内资日子好过外资
中国电子信息产业受金融危机之创明显,进入第三季度后至10月底,该产业增加值的增速一路下滑,而进出口增速同比也有较大回落。工业和信息化部(下称“工信部”)昨天公布的10月份国内电子信息产业经济运行情况、1~10月电子产业统计数据显示,中国电子信息产业发展速度已明显放缓,结构调整继续深化。
2008-12-04
电子信息产业 电子制造业
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磁性材料:出口大于进口
2007年磁性材料出口121506万美元,同比增长41.73%,数量280192吨,同比增长21.84%;进口额4275万美元,同比增长12.06%,进口量66874吨,同比减少3.46%。
2008-12-04
磁性材料 氧化铁 铁磷
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磁性材料:出口大于进口
2007年磁性材料出口121506万美元,同比增长41.73%,数量280192吨,同比增长21.84%;进口额4275万美元,同比增长12.06%,进口量66874吨,同比减少3.46%。
2008-12-04
磁性材料 氧化铁 铁磷
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磁性材料:出口大于进口
2007年磁性材料出口121506万美元,同比增长41.73%,数量280192吨,同比增长21.84%;进口额4275万美元,同比增长12.06%,进口量66874吨,同比减少3.46%。
2008-12-04
磁性材料 氧化铁 铁磷
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