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IR推出30V DirectFET MOSFET适合19V输入同步降压应用

发布时间:2010-12-17 来源:电子产品世界

IRF6708S2/IRF6728M的产品特性:
  • 可减少元件数量达30%
  • 低电荷和低导通电阻
  • 低寄生电阻电感
  • 卓越的散热性能
IRF6708S2/IRF6728M的应用范围:
  • 19V输入同步降压应用

国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出了IRF6708S2和IRF6728M 30V DirectFET MOSFET芯片组,特别为注重成本的19V输入同步降压应用 (如笔记本电脑) 而设计。

IRF6708S2小罐和IRF6728M中罐器件可减少元件数量达30%,大幅降低了整体系统成本。这些新款DirectFET MOSFET具有低电荷和低导通电阻 (RDS(on)) ,最大限度减少了传导及开关损耗。IRF6728M还备有单片型集成式萧特基二极管 (Schottky) ,可以降低与体二极管导通和反向恢复相关的损耗。

IR亚太区销售副总裁潘大伟表示:“IRF6708S2和IRF6728M芯片组能够为注重成本的DC-DC开关应用提供高效率、且具有成本效益的解决方案,而DirectFET确保的卓越热特性充分体现了一流的整体价值。”

IRF6708S2和IRF6728M采用了IR最新一代的30V MOSFET硅技术。这些新器件除了拥有低导通电阻和低电荷,也具有DirectFET封装低寄生电阻电感和卓越的散热性能。

产品详细数据及应用说明可浏览IR网页www.irf.com。

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