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EPCOS推出消费和工业电子应用表贴铝电解电容器
爱普科斯(EPCOS) 推出新型表贴铝电解电容器,其电容量范围介于0.1μF至1500μF,适用于4V DC至100 V DC的电压。此新型电容器适用于消费和工业电子领域,是钽电容器的价格合适的替代品。
2008-08-01
铝电解电容器
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MAX4800A/MAX4802A:Maxim 8通道超声应用高速开关
Maxim推出通过高速、20MHz串行接口控制的8通道、高压、低电荷注入SPST开关MAX4800A/MAX4802A。器件采用Maxim专有的BCDMOS工艺,集高压、双向DMOS开关及低功耗CMOS逻辑特性于一体,从而实现通过低压控制信号对高压模拟信号的有效控制。
2008-07-30
MAX4800A MAX4802A 高速开关
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STV250N55F3:意法半导体新250A功率MOSFET
意法半导体(纽约证券交易所代码:STM)推出一款250A表面贴装的功率MOSFET晶体管,新产品拥有市场上最低的导通电阻,可以把功率转换损耗降至最低,并提高系统性能。
2008-07-16
MOSFET STV250N55F3
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30CTT045/60CPT045:Vishay第5 代高性能45V肖特基二极管
Vishay宣布推出最大结温高达 +175°C 的首款新型第五代(Gen. 5.0)高性能 45V 肖特基二极管。30CTT045 与60CPT045器件基于亚微米沟槽技术,可提供超低的正向压降以及低反向漏电流,从而可使设计人员提高汽车及其他高温应用中的功率密度。
2008-07-11
30CTT045 60CPT045 肖特基二极管 diode
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150 CRZ系列:Vishay新高性能SMD 铝电解电容器
Vishay宣布已扩展其150 CRZ系列表面贴装铝电容器的功能,使该系列器件能够提供低阻抗值、高电容与纹波电流,以及可实现高振动功能的 4 针脚版本。
2008-07-09
150 CRZ SMD 铝电解电容器
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CSM2512S:Vishay新型表面贴装Power Metal Strip电阻
Vishay宣布推出一款新型高精度Bulk Metal表面贴装Power Metal Strip电阻,该电阻可在额定功率及+70ºC的条件下保持长达2,000小时的±0.05%负载寿命稳定性, 在–55ºC至+125ºC及25ºC参考温度条件下实现±15 PPM/ºC的绝对TCR ,以及具有 ±0.1%的容差。
2008-06-27
CSM2512S Bulk Metal Power Metal Strip电阻
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STCL1120系列:意法半导体低功耗硅振荡器
意法半导体推出STCL1120系列硅振荡器,新产品启动快速,抗振动、冲击和抗电磁干扰(EMI)能力强,电流消耗低,片选控制功能使电源管理比其它品牌的硅振荡器更加容易,能效更高。
2008-06-24
STCL1120 硅振荡器 控制设备
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B84143D*R127系列:EPCOS长引出线应用EMC滤波器
爱普科斯阔展了它的3路EMC滤波器系列, 增加了变频器用高性能系列产品。其出色的衰减性能尤其对长电动机引出线有决定性的优势。
2008-06-19
B84143D*R127 SineFormer滤波器 EMC滤波器
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Si8445DB:Vishay新型20V P通道TrenchFET功率MOSFET
日前,Vishay推出新型 20V p 通道TrenchFET功率MOSFET,该器件采用MICRO FOOT芯片级封装,具有很小占位面积以及 1.2 V 时超低的导通电阻。
2008-06-18
Si8445DB 功率MOSFET
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