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电源管理

298D系列：Vishay便携应用固体钽芯片电容器系列小封装产品

Vishay宣布扩展其 298D系列 MicroTan™ 固体钽芯片电容器，推出0402 封装尺寸的298D。此电容器充分利用已获专利的MAP（多阵列封装）装配技术以扩展产品系列，现已可在超薄小型0402 K封装中提供4.7µF-4V至10µF-4V的电容电压。

2008-08-15

298D 钽电容器便携应用

微封装晶体管和二极管：安森美半导体便携应用产品

安森美半导体扩充分立器件封装系列，推出新微封装的晶体管和二极管。新增加的封装拓展了公司的微封装晶体管和二极管系列，配合当今空间受限型便携应用的严峻设计需求。

2008-08-12

晶体管二极管 NZ9F 低正向压降肖特基二极管齐纳二极管便携应用

EPCOS推出消费和工业电子应用表贴铝电解电容器

爱普科斯(EPCOS) 推出新型表贴铝电解电容器，其电容量范围介于0.1μF至1500μF，适用于4V DC至100 V DC的电压。此新型电容器适用于消费和工业电子领域，是钽电容器的价格合适的替代品。

2008-08-01

铝电解电容器

MAX4800A/MAX4802A：Maxim 8通道超声应用高速开关

Maxim推出通过高速、20MHz串行接口控制的8通道、高压、低电荷注入SPST开关MAX4800A/MAX4802A。器件采用Maxim专有的BCDMOS工艺，集高压、双向DMOS开关及低功耗CMOS逻辑特性于一体，从而实现通过低压控制信号对高压模拟信号的有效控制。

2008-07-30

MAX4800A MAX4802A 高速开关

STV250N55F3：意法半导体新250A功率MOSFET

意法半导体（纽约证券交易所代码：STM）推出一款250A表面贴装的功率MOSFET晶体管，新产品拥有市场上最低的导通电阻，可以把功率转换损耗降至最低，并提高系统性能。

2008-07-16

MOSFET STV250N55F3

30CTT045/60CPT045：Vishay第5 代高性能45V肖特基二极管

Vishay宣布推出最大结温高达 +175°C 的首款新型第五代（Gen. 5.0）高性能 45V 肖特基二极管。30CTT045 与60CPT045器件基于亚微米沟槽技术，可提供超低的正向压降以及低反向漏电流，从而可使设计人员提高汽车及其他高温应用中的功率密度。

2008-07-11

30CTT045 60CPT045 肖特基二极管 diode

150 CRZ系列：Vishay新高性能SMD 铝电解电容器

Vishay宣布已扩展其150 CRZ系列表面贴装铝电容器的功能，使该系列器件能够提供低阻抗值、高电容与纹波电流，以及可实现高振动功能的 4 针脚版本。

2008-07-09

150 CRZ SMD 铝电解电容器

CSM2512S：Vishay新型表面贴装Power Metal Strip电阻

Vishay宣布推出一款新型高精度Bulk Metal表面贴装Power Metal Strip电阻，该电阻可在额定功率及+70ºC的条件下保持长达2,000小时的±0.05%负载寿命稳定性，在–55ºC至+125ºC及25ºC参考温度条件下实现±15 PPM/ºC的绝对TCR ，以及具有 ±0.1%的容差。

2008-06-27

CSM2512S Bulk Metal Power Metal Strip电阻

STCL1120系列:意法半导体低功耗硅振荡器

意法半导体推出STCL1120系列硅振荡器，新产品启动快速，抗振动、冲击和抗电磁干扰（EMI）能力强，电流消耗低，片选控制功能使电源管理比其它品牌的硅振荡器更加容易，能效更高。

2008-06-24

STCL1120 硅振荡器控制设备

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