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电源管理

SMM4F：意法半导体超小Transil瞬变电压抑制二极管系列

意法半导体推出SMM4F系列单向Transil瞬变电压抑制二极管，新系列产品在三个主要方面提高性能：在小空间内提供先进的保护功能、降低泄漏电流实现低损耗、结温最大化以提升可靠性。

2008-05-15

SMM4F 二极管 diode 消费电子

STGxL6NC60D：意法半导体新款IGBT系列

意法半导体推出一系列新的IGBT，新系列产品采用高效的寿命控制工艺，有效降低了关断期间的能耗。如果设计工程师采用ST的全新IGBT,用于工作频率超过20kHz的照明镇流器等节能型电路内，应用的整体功率可望提高到一个新的水平，远胜标准技术的MOSFET。

2008-05-13

STGxL6NC60D 绝缘栅双极晶体管 IGBT 开关电源

DG系列：Vishay八款高精度仪表应用模拟多路复用器与开关

日前，Vishay推出八款面向高精度仪表应用的新型高频、低电荷注入模拟多路复用器与开关。这些产品还是同类器件中首批除标准 TSSOP 与 SOIC 封装外还提供采用 1.8mm×2.6mm 无引线微型 QFN 封装的器件。

2008-05-12

DG604 DG4052A DG4051A DG4053A DG611A DG612A DG613 DG636 多路复用器与开关

NBXxxxx：安森美高性能单频和双频晶体振荡器模块

安森美半导体扩充了高性能时钟和数据管理产品系列，推出九款基于锁相环(PLL)的新PureEdge时钟模块，替代晶体振荡器(XO)。NBXxxxx系列非常适用于高速网络、电信和高端计算应用。

2008-05-07

PLL PureEdge NBXxxxx 通信应用振荡器

STW55NM60ND：意法半导体快速恢复MOSFET产品

意法半导体推出快速恢复MOSFET晶体管新产品系列，用于包括再生能源控制器在内的以能效为中心的应用需求。新产品在现有产品的基础上提高了开关性能，同时还使导通电阻实现超过18%的降幅。

2008-05-06

STW55NM60ND MOSFET 场效应管

MAX4928A/MAX4928B：Maxim新高速无源开关

Maxim推出超高速、1:2或2:1、DisplayPort/PCI Express (PCIe)无源开关MAX4928A/MAX4928B。该器件采用n沟道开关，可在图形存储控制中心(GMCH)与PCIe 2.0插槽或DisplayPort连接器之间切换差分信号。

2008-05-01

MAX4928A MAX4928B 无源开关 DisplayPort PCI Express (PCIe)

8STH06FP/8S2TH06FP/15STH06FP/15S2TH06FP：Vishay 四款高频整流器

日前，Vishay推出四款新型 600V FRED Pt 超高速整流器，这些器件具有超快、超稳定的反向恢复时间及低正向压降，可减少高效 PFC 及 SMPS 应用中的开关损失。

2008-04-25

8STH06FP 8S2TH06FP 15STH06FP 15S2TH06FP 高频整流器

南方芯源的系列无卤化产品通过可靠性测试

2008年4月， Samwin系列产品的无卤化产品通过可靠性测试，成为国内首家提供全系列无卤产品的MOSFET制造商。其中SW C1N70A(TO-92)产品已通过Apple公司的HF（无卤）认证，SW I2N70(TO-251)已通过Samsung 的HF认证。

2008-04-22

SW C1N70A(TO-92) 无卤 HF SW I2N70(TO-251)

NTUD312x:安森美适合便携电子产品应用超小型MOSFET

安森美半导体推出三款新的采用超小型SOT-963封装的MOSFET，它们均针对空间受限的便携电子产品进行了优化。SOT-963的尺寸为1.0 mm×1.0 mm，这些采用SOT-963封装的NTUD312x新器件仅有0.5 mm的低垂直净距，满足新世代超薄手持便携设备的要求。

2008-04-21

NTUD312x NTUD3127C NTUD3129P MOSFET SOT-963 便携应用

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