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STD60N3LH5/STD85N3LH5：意法半导体新功率MOSFET系列

意法半导体推出两款适用于直流—直流转换器的全新功率MOSFET（金属互补氧化物场效应晶体管）产品。新产品采用ST最新版STripFET制造技术，拥有极低的导通损耗和开关损耗，在一个典型的稳压模块内，两种损耗的减少可达3瓦。

2008-02-20

MOSFET STD60N3LH5 STD85N3LH5 金属互补氧化物场效应晶体管

日前，Vishay宣布推出采用超紧凑型LLPXX13 无铅封装的六款新型四通道、六通道及八通道 EMI 滤波器。凭借 0.6 毫米的超薄厚度，新型 VEMI 滤波器系列可在面向移动计算、移动通信、消费类、工业及医疗应用的便携式电子设备中节省板面空间，以及提供 ESD 保护。

2008-02-06

VEMI45AB-HNH VEMI45AC-HNH VEMI65AB-HCI VEMI85AB-HGK VEMI85AC-HGK VEMI65AC-HCI EMI 滤波器

爱普科斯推出新系列节省空间的P2马达电容器，该产品采用塑料封装。对新型MotorCap P2紧凑系列来说，其电容器外壳无需再接地。借助干式技术，上述元件可根据需求安装在任何位置。根据IEC 60252-1 2001标准，预计产品使用寿命可达30,000小时。

2008-02-01

MotorCap P2 马达电容器

日前，Vishay宣布推出适用于高温应用的新型高性能 Schottky 二极管第 5 代硅平台，以及具有低正向压降、低反向漏电流和较高的最大结温的8款新型器件。

2008-01-30

Schottky 二极管

日前，Vishay推出两款新型高压单、双电源单刀双掷 (SPDT) 模拟开关。该 DG469和DG470器件是相同的，不同之处是 DG470带有启动引脚，该引脚可将所有开关置于高阻抗状态，从而在启动时可保持“安全状态”并可防止意外信号或电源短路。

2008-01-10

模拟开关

爱普科斯（EPCOS）现可供应表面贴装大功率电感器，该款电感器采用表面组装工艺，电流能力高达71安。ERU25系列基于改进型铁氧体磁芯与扁平矩形导线，非常适用于电信和工业电子应用中的四分之一英寸、二分之一英寸以及全桥版的低压大电流DC/DC变换器、分布式电源系统以及中间总线变换器。

2008-01-07

ERU25 大功率电感器 DC/DC变换器中间总线变换器

安森美半导体 (ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)扩展其PureEdge高性能时钟产生产品系列，推出NB3N3002和NB3N5573这两款新器件。

2007-12-13

NB3N3002 NB3N5573 时钟产生器

2007年5月1日，经过5轮审核及多次产品可靠性认证，Samwin正式成为Philips(Lighting Electronics)的全球MOSFET供应商。首批通过认证的产品有：SW P 2N60，SW P 4N60及SW P 7N60产品，用于Philips 原厂生产的萤光灯Ballast。

2007-05-07

MOSFET供应商 SW P 2N60 SW P 4N60 SW P 7N60

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