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电源管理

三端双向晶闸管的功耗计算和Tjmax预测

三端双向晶闸管在工作时消耗大量电能，因而其散热设计非常重要。散热设计主要涉及到功率、热阻和温度升高等几个计算阶段。本文介绍的是设计计算以及设计案例，其数据主要来自实际应用和三端双向晶闸管的数据表。

2008-10-11

三端双向晶闸管 vo rs Tjmax

韩国技术团队访问南方芯源

韩国枫叶半导体拜访南方芯源总经理罗义先生，此次来访是希望与南方芯源合作，共同开拓中国MOSFET市场。

2008-10-10

MOSFET 枫叶半导体南方芯源

PMEG系列：恩智浦FlatPower封装MEGA Schottky整流器

恩智浦半导体近日宣布推出全新FlatPower封装的MEGA Schottky整流器，包括SOD123W和SOD128。因为"金属板绑定"的封装成果，新的MEGA产品带来可媲美标准SMA封装的高功率性能。新产品以其卓越的前向压降，可以允许50A的峰值电流和高至1W的Ptot功率耗散。

2008-10-10

MEGA Schottky整流器 PMEG2010ER PMEG3010ER PMEG4010ER

光纤活动连接器等产品新认证标准获批准

日前，国家认可委员会认可了针对光纤活动连接器、漏泄同轴电缆、地下通信管道用塑料管等多种产品的新认证规则。据新认证规则的起草单位工信部电信研究院泰尔认证中心主任袁和国介绍，按照有关要求，原获证企业在下次监督之前必须满足新标准要求，泰尔认证中心下次监督将按新标准要求进行并增加差异...

2008-10-09

光纤活动连接器漏泄同轴电缆测试标准

估算电感在开关电源中的功耗

开关电源的功耗是多方面的，包括功率MOSFET损耗、输入/输出电容损耗、控制器静态功耗以及电感损耗。本文主要讨论电感损耗。众所周知，电感损耗包括两方面：其一是与磁芯相关的损耗，即传统的铁损；其二是与电感绕组相关的损耗，即通常所谓的铜损。本文介绍用估算的方法计算电感在开关电源中的功耗。

2008-10-09

功率电感 RDC 趋肤现象渗透深度

功率MOSFET驱动器提供了车载照明保护与控制

高压侧前置场 FET 驱动器和功率 FET 组合被广泛地用于负载控制，这种组合还可能被应用于那些要求通过串行总线通信或者并行输入控制来实现负载控制的工业和商业应用中。将每一个功率 FET 与热相互作用隔离的这种能力，在那些单通道短路或者热关闭故障不会中断其它负载控制通道功能的情况下是非常有好...

2008-10-09

车载照明 FET 螺线管负载浪涌电流

电源对移动电话开关频谱的影响

随着移动电话市场的发展，移动电话已经成为目前国内电子制造业最大的热点。移动电话是一个包含数字信号和模拟信号的复杂系统，在移动电话的设计调试和批量生产中，会碰到各种各样技术问题。其中常见的问题之一是移动电话的开关频谱不能满足ETSI标准的要求。在实际工作中，发现移动电话使用的电源直...

2008-10-09

电源移动电话开关频谱ETSI

超级电容提高移动电话的音频质量和电源性能

超级电容填补了电池和普通电容之间的功率空隙，它能提供比电池更高的触发功率，并能比普通电容存储更多的能量。超级电容可以为峰值功率事件提供所需的触发功率，然后接受电池的再充电。其好处包括延长通话时间、延长电池寿命、闪光更亮以及音乐质量更佳。设计师还可以藉此节省空间和成本，因为他们...

2008-10-09

超级电容失真音乐手机功率

DC-DC变换器的输入系统不稳定性

目前，许多大型电子设备都趋向于采用直流分布式供电结构，通过直流总线给多个DC-DC变换器进行供电，而变换器的输出则直接供给各个负载。但是，利用DC-DC变换器来构建分布式供电系统有一些关键问题需要解决，如输入系统不稳定性问题。如果措施不当，将损坏变换器甚至负载，造成巨大损失。

2008-10-09

分布式供电系统 DC-DC变换器输入系统不稳定性 ESR

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