电源管理-技术中心-电子元件技术网

电源管理

STC03DE220HV：意法半导体用于三相电源的低功耗ESBT开关

意法半导体宣布推出STC03DE220HV ESBT（发射极开关双极晶体管）功率开关，新产品使设计工程师能够提高单相和三相应用辅助开关电源的能效，降低产品的成本、组件数量和尺寸。

2008-05-21

STC03DE220HV ESBT 发射极开关双极晶体管

MAX4996/MAX4996L：Maxim SDHC和SDIO复用三路DPDT开关

Maxim推出三路双刀双掷(DPDT)开关MAX4996/MAX4996L，可切换多路高达670MHz的高频信号。器件具有极低的导通电阻(典型值为2.0Ω)、导通电容(典型值为6pF)和功耗(典型值为3µA)，从而能够实现高频切换。

2008-05-19

MAX4996 MAX4996L 三路双刀双掷(DPDT)开关

BU25/BU20/BU15/BU12/BU10：Vishay新型整流器系列

Vishay宣布推出增强型高电流密度 PowerBridge整流器的新系列，这些器件的额定电流为 10 A 至 25 A，最大额定峰值反向电压为 600 V 至 1000 V。

2008-05-16

BU25 BU20 BU15 BU12 BU10 整流器

MAX4983E/MAX4984E：Maxim高速USB DPDT开关

Maxim推出双刀双掷(DPDT)模拟开关MAX4983E/MAX4984E，可切换多路480Mbps高速USB (USB 2.0)信号。器件具有极低的导通电阻(典型值为5Ω)和较高的带宽(950MHz)，允许采用单个连接器实现高性能的切换。

2008-05-15

MAX4983E MAX4984E 高速USB (USB 2.0) DPDT开关

SMM4F：意法半导体超小Transil瞬变电压抑制二极管系列

意法半导体推出SMM4F系列单向Transil瞬变电压抑制二极管，新系列产品在三个主要方面提高性能：在小空间内提供先进的保护功能、降低泄漏电流实现低损耗、结温最大化以提升可靠性。

2008-05-15

SMM4F 二极管 diode 消费电子

STGxL6NC60D：意法半导体新款IGBT系列

意法半导体推出一系列新的IGBT，新系列产品采用高效的寿命控制工艺，有效降低了关断期间的能耗。如果设计工程师采用ST的全新IGBT,用于工作频率超过20kHz的照明镇流器等节能型电路内，应用的整体功率可望提高到一个新的水平，远胜标准技术的MOSFET。

2008-05-13

STGxL6NC60D 绝缘栅双极晶体管 IGBT 开关电源

DG系列：Vishay八款高精度仪表应用模拟多路复用器与开关

日前，Vishay推出八款面向高精度仪表应用的新型高频、低电荷注入模拟多路复用器与开关。这些产品还是同类器件中首批除标准 TSSOP 与 SOIC 封装外还提供采用 1.8mm×2.6mm 无引线微型 QFN 封装的器件。

2008-05-12

DG604 DG4052A DG4051A DG4053A DG611A DG612A DG613 DG636 多路复用器与开关

NBXxxxx：安森美高性能单频和双频晶体振荡器模块

安森美半导体扩充了高性能时钟和数据管理产品系列，推出九款基于锁相环(PLL)的新PureEdge时钟模块，替代晶体振荡器(XO)。NBXxxxx系列非常适用于高速网络、电信和高端计算应用。

2008-05-07

PLL PureEdge NBXxxxx 通信应用振荡器

STW55NM60ND：意法半导体快速恢复MOSFET产品

意法半导体推出快速恢复MOSFET晶体管新产品系列，用于包括再生能源控制器在内的以能效为中心的应用需求。新产品在现有产品的基础上提高了开关性能，同时还使导通电阻实现超过18%的降幅。

2008-05-06

STW55NM60ND MOSFET 场效应管

首页上一页 1067 1068 1069 1070 1071 1072 1073 1074 下一页尾页

特别推荐

技术文章更多>>

技术白皮书下载更多>>

热门搜索