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仿真看世界之SiC单管的开关特性
如下图1是今年英飞凌新推出的一颗TO-247-3封装的1200V/45mΩ的SiC MOSFET单管。假定该器件焊到PCB后，其管脚到器件内部芯片栅极、漏极和源极的杂散参数如下图所示，其中VD1_Q1、VG1_Q1和VS2_Q1表示器件Q1外部管脚测到的信号，VD0_Q1、VG0_Q1和VS0_Q1表示器件Q1内部芯片的信号，芯片Q1内包含寄生电阻R...
2022-07-06
SiC单管 开关特性
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依然缺货，销售额飙升：汽车MCU的市场走势，你看懂了吗？
目前，市场上主流的处理器架构主要有三种，分别是Intel和AMD领衔的x86架构、应用广泛的Arm架构以及近几年风声水起的RISC-V架构。作为一家芯片公司，Arm不生产芯片，但全球却有数十亿设备运行在基于Arm内核的芯片上，Arm的芯片技术几乎覆盖了包括智能手机、汽车以及物联网等众多行业应用。根据Arm的...
2022-07-06
缺货 汽车MCU 市场走势
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如何设计可靠性更高、尺寸更小、成本更低的高电压系统解决方案
工厂自动化设备、电网基础设施应用、电机驱动器和电动汽车 (EV) 等高电压工业和汽车系统能够产生数百至数千伏的电压，这不仅会缩短设备寿命，甚至会给人身安全带来重大风险。本文介绍如何利用全新隔离技术来保证这些高电压系统的安全，从而提高可靠性，同时缩小解决方案尺寸并降低成本。
2022-07-06
高电压系统 解决方案 TI
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分立式CoolSiC MOSFET的寄生导通行为研究
米勒电容引起的寄生导通常被认为是碳化硅MOSFET的弱点。为了避免这种效应，硬开关逆变器通常采用负栅极电压关断。但是，这对于CoolSiC™MOSFET真的是必要的吗？
2022-07-06
CoolSiC MOSFET 寄生导通
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5V输入升压架构两节串联锂电池充电管理芯片SGM41528
随着电子产品输出功率的不断提高，单节电池所能提供的输出功率已经不能满足这些高功率产品的需求，因此两节、三节甚至更多节电池串联的供电的方案得以大量应用，如移动POS机、数码相机、蓝牙音箱、便携式打印机、无人机、机器人、电动工具等，伴随而来的是为这些串联电池包提供充电的方案需求。在各...
2022-07-05
充电管理 芯片 SGM41528
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从负供电轨生成正电压，这种简单高效且组件少的电路你要知道
有时候您需要正电源，但大部分可用的供电轨（或仅有的可用供电轨）提供的都是负电源。事实上，负到正电压转换已用于汽车电子，以及各种音频放大器、工业和测试设备的偏置电路中。虽然在许多系统中是电源通过相对于地的负供电轨分配，但这些系统中的逻辑板、ADC、DAC、传感器和类似器件仍然需要一个...
2022-07-05
负供电轨 正电压 ADI
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如何正确理解SiC MOSFET的静态和动态特性
CoolSiC™ MOSFET集高性能、坚固性和易用性于一身。由于开关损耗低，它们的效率很高，因此可以实现高功率密度。但尽管如此，工程师需要了解器件的静态和动态性能以及关键影响参数，以实现他们的设计目标。在下面的文章中，我们将为您提供更多关于这方面的见解。
2022-07-05
SiC MOSFET 动态特性
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瑞萨电子与易灵思及中印云端合作共同拓展异构SoM应用市场
2022 年 7 月 4 日，中国上海、深圳讯 – 全球领先的半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723），与专注于国产FPGA的易灵思（深圳）科技有限公司（以下，易灵思）和AIoT解决方案供应商中印云端（深圳）科技有限公司（以下，中印云端）今日宣布，合作共同推出ProMe系列异构SoM（System on Module）。...
2022-07-04
瑞萨电子 易灵思 SoM
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用于汽车负载应用的上桥SmartFET驱动器
上桥SmartFET因其易于使用和高水平的保护而越来越受欢迎。与标准MOSFET一样，SmartFET非常适合各种汽车应用。它们的区别在于内置在上桥SmartFET器件中的控制电路。控制电路持续监控输出电流和器件温度，同时针对电压瞬变和其他意外应用条件提供被动保护。这种主动和被动保护功能的结合确保了稳定可...
2022-07-04
汽车负载 SmartFET 驱动器
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